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    20．如图14所示.正方形区域abcd边长L＝8cm.内有平行于ab方向指向BC边的匀强电场.场强E＝3750 V/m.一带正电的粒子电量q＝10-10C.质量m＝10-20kg.沿电场中心线RO飞入电场.初速度v0＝2×106m/s.粒子飞出电场后经过界面CD.PS间的无电场区域后.进入固定在O点的点电荷Q形成的电场区域.一进入该区域即开始做匀速圆周运动(设点电荷左侧的电场分布以界面PS为界限.且不受PS影响).已知cd.PS相距12cm.粒子穿过PS最后垂直打在放置于中心线上的荧光屏MN上.不计粒子重力(静电力常数k＝9×109Nm2/C2).试求: 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    如图14所示，在光滑绝缘的水平面上有一个用一根均匀导体围成的正方形线框abcd，其边长为L，总电阻为R，放在磁感应强度为B、方向竖直向下的匀强磁场的左边，图中虚线MN为磁场的左边界.线框在大小为F的恒力作用下向右运动，其中ab边保持与MN平行.当线框以速度v0进入磁场区域时，它恰好做匀速运动.在线框进入磁场的过程中，求：
    （1）线框的ab边产生的感应电动势的大小；
    （2）求线框a、b两点的电势差；
    （3）求线框中产生的焦耳热.

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    14分）如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）。

    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置。

    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置。

    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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    14分）如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）。

    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置。

    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置。

    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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