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15.锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛.回答下列问题:
(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar]3d104s24p2,有2个未成对电子.
(2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但Ge原子之间难以形成双键或叁键.从原子结构角度分析,原因是Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,p-p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键.
(3)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高.原因是分子结构相似,分子量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强.
GeCl4GeBr4GeI4
熔点/℃-49.526146
沸点/℃83.1186约400
(4)光催化还原CO2制备CH4反应中,带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂.Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是O>Ge>Zn.
(5)①Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为sp3,微粒之间存在的作用力是共价键.
②已知Ge单晶的晶胞的边长为565.76pm,其密度为$\frac{8×73}{6.02×1{0}^{23}×(565.76×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3(列出计算式即可,阿伏加德罗常数用NA表示,Ge的相对原子质量为73).

分析 (1)Ge是32号元素,位于第四周期第IVA族,基态Ge原子核外电子排布式为[Ar]3d104s24p2;
(2)Ge原子半径大,难以通过“肩并肩”方式形成π键;
(3)锗的卤化物都是分子晶体,相对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高;
(4)元素的非金属性越强,吸引电子的能力越强,元素的电负性越大;
(5)①Ge单晶具有金刚石型结构,Ge原子与周围4个Ge原子形成正四面体结构,向空间延伸的立体网状结构,属于原子晶体;
②Ge单晶具有金刚石型结构,则晶胞中Ge原子数目为8,结合阿伏伽德罗常数表示出晶胞的质量,再根据ρ=$\frac{m}{V}$计算晶胞密度.

解答 解:(1)Ge是32号元素,位于第四周期第IVA族,基态Ge原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p2或[Ar]3d104s24p2,在最外层的4s能级上2个电子为成对电子,4p轨道中2个电子分别处以不同的轨道内,有2轨道未成对电子,
故答案为:3d104s24p2;2;
(2)虽然Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但考虑Ge的原子半径大,难以通过“肩并肩”方式形成π键,所以Ge原子之间难以形成双键或叁键,
故答案为:Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,p-p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键;
(3)锗的卤化物都是分子晶体,分子间通过分子间作用力结合,对于组成与结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高,由于相对分子质量:GeCl4<GeBr4<GeI4,故沸点:GeCl4<GeBr4<GeI4,
故答案为:GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高.原因是分子结构相似,分子量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强;
(4)元素非金属性:Zn<Ge<O,元素的非金属性越强,吸引电子的能力越强,元素的电负性越大,故电负性:O>Ge>Zn,
故答案为:O>Ge>Zn;
(5)①Ge单晶具有金刚石型结构,Ge原子与周围4个Ge原子形成正四面体结构,向空间延伸的立体网状结构,属于原子晶体,Ge原子之间形成共价键,Ge原子杂化轨道数目为4,采取sp3杂化,
故答案为:sp3;共价键;
②晶胞中Ge原子数目为8,结合阿伏伽德罗常数,晶胞参数a=565.76pm,可知出晶胞的密度为:$\frac{m}{V}$=$\frac{8×73g/mol}{6.02×1{0}^{23}mo{l}^{-1}}$÷(565.76×10-10cm)3=$\frac{8×73}{6.02×1{0}^{23}×(565.76×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3,
故答案为:$\frac{8×73}{6.02×1{0}^{23}×(565.76×1{0}^{-10})^{3}}$.

点评 本题是对物质结构与性质的考查,涉及核外电子排布、化学键、晶体类型与性质、电负性、杂化方式、晶胞计算等,(5)中晶胞计算为易错点、难点,难度较大.

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(1)B的化学式为CuO.
(2)F的电子式为.
(3)写出反应①的化学方程式:4NH3+5O2$\frac{\underline{\;催化剂\;}}{△}$4NO+6H2O.
(4)写出反应②的离子方程式:Cu+4H++2NO3-═Cu2++2NO2↑+2H2O.

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