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    （11分）．如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）。

    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置。

    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置。

    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。

     

    【答案】

    （1）（2）．

    【解析】（1）电子在I区域，由动能定理，得

           （2分）    

    若电子恰能从D点打出来，则

                      （2分）

    由于，∴电子一定能从CD边打出来    （2分）

    电子离开时坐标为              （1分）

    （2）设电子释放时的坐标为

            （6分）              （1分）

    ∴释放电子时的坐标应满足的关系为．

    本题考查带电粒子在电场中的偏转，电子电子在I区域，只有电场力做功，由动能定理可求得获得的速度，若电子恰能从D点打出来，由水平方向匀速运动和沿电场线方向匀加速直线运动，可求得在D点时速度大小，由此可判断粒子能离开电场，由水平和竖直方向的运动位移可求得飞出时的坐标，在求电子释放时的坐标时，根据电场力做功获得平抛运动的初速度，根据类平抛运动公式，可求得水平位移和竖直位移的关系式

     

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    （附加题）如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）．
    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置坐标．
    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在xOy平面的第一象限，存在以x轴、y轴及双曲线y=
    L24x
    的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）为边界的匀强电场区域Ⅰ；在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的匀强电场区域Ⅱ．两个电场大小均为E，不计电子所受重力，电子的电荷量为e，求：
    （1）从电场区域Ⅰ的边界B点处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的坐标；
    （2）试证明在电场Ⅰ区域的AB曲线边界由静止释放的所有电子离开MNPQ时都从P点离开的
    （3）由电场区域Ⅰ的AB曲线边界由静止释放电子离开P点的最小动能．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的第一象限，存在以x轴y轴及双曲线y=
    L2
    4x
    的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）为边界的匀强电场I；在第二象限存在以x=-L； x=-2L；y=0；y=L的匀强电场II．两个电场大小均为E，不计电子所受重力．求
    （1）从电场I的边界B点处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的位置；
    （2）由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能；
    （3）若将左侧电场II整体水平向左移动
    L
    n
    （n≥1），要使电子从x=-2L，y=0处离开电场区域II，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网如图所示为研究光电效应规律的实验电路，利用此装置也可以进行普朗克常量的测量．只要将图中电源反接，用已知频率ν1、ν2的两种色光分别照射光电管，调节滑动变阻器，…．已知电子电量为e，要能求得普朗克散量h，实验中需要测量的物理量是
     
    ；计算普朗克常量的关系式h=
     
    （用上面的物理量表示）．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图精英家教网所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）．若在该区域AB边的中点处由静止释放质量为m，带电量为e的电子：
    （1）求电子离开匀强电场Ⅰ时的速度；
    （2）求电子离开匀强电场Ⅱ的位置（位置坐标用L表示）

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