下列各种晶体熔化时只需克服分子间作用力的是 A.NaCl B.干冰 C.SiO2 D.C6H5ONa 【查看更多】

 

题目列表(包括答案和解析)

下列各晶体熔化时只需要克服分子间作用力的是

A.SiC      B.KCl      C.SO2       D.NH4Br

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(8分) 现有下列晶体, 请按要求回答相应问题。(前六个小题用编号填空)

A.干冰      B.晶体硅       C.氩      D.二氧化硅     E.氯化铵

(1)通过非极性键形成的晶体是        。

(2)属于非电解质且熔化时只需破坏分子间作用力的是        。

(3)属于分子晶体,且分子为直线型结构的是         。

(4)不含任何化学键的晶体是     。

(5)固态时不导电,熔融状态下能导电的是         。

(6)含有离子键、共价键、配位键的化合物是       。

(7)已知石墨在一定条件下可将D还原成B,反应方程式为SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的键能为a,SiO2中Si—O的键能为b,晶体硅中Si—Si的键能为c,CO的键能为d,请用a、b、c、d表示生成晶体硅时的反应热△H=                    。

 

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(8分) 现有下列晶体, 请按要求回答相应问题。(前六个小题用编号填空)

A.干冰B.晶体硅C.氩D.二氧化硅 E.氯化铵
(1)通过非极性键形成的晶体是      。
(2)属于非电解质且熔化时只需破坏分子间作用力的是      。
(3)属于分子晶体,且分子为直线型结构的是       。
(4)不含任何化学键的晶体是   。
(5)固态时不导电,熔融状态下能导电的是       。
(6)含有离子键、共价键、配位键的化合物是     。
(7)已知石墨在一定条件下可将D还原成B,反应方程式为SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的键能为a,SiO2中Si—O的键能为b,晶体硅中Si—Si的键能为c,CO的键能为d,请用a、b、c、d表示生成晶体硅时的反应热△H=                   。K^S*5U.C#O

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现有下列晶体, 请按要求回答相应问题。(前六个小题用编号填空)

A.干冰      B.晶体硅       C.氩      D.二氧化硅     E.氯化铵

(1)通过非极性键形成的晶体是        。

(2)属于非电解质且熔化时只需破坏分子间作用力的是        。

(3)属于分子晶体,且分子为直线型结构的是         。

(4)不含任何化学键的晶体是     。

(5)固态时不导电,熔融状态下能导电的是         。

(6)含有离子键、共价键、配位键的化合物是       。

(7)已知石墨在一定条件下可将D还原成B,反应方程式为SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的键能为a,SiO2中Si—O的键能为b,晶体硅中Si—Si的键能为c,CO的键能为d,请用a、b、c、d表示生成晶体硅时的反应热△H=                    。O

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(8分) 现有下列晶体, 请按要求回答相应问题。(前六个小题用编号填空)

A.干冰     B.晶体硅       C.氩      D.二氧化硅     E.氯化铵

(1)通过非极性键形成的晶体是        。

(2)属于非电解质且熔化时只需破坏分子间作用力的是        。

(3)属于分子晶体,且分子为直线型结构的是         。

(4)不含任何化学键的晶体是     。

(5)固态时不导电,熔融状态下能导电的是         。

(6)含有离子键、共价键、配位键的化合物是       。

(7)已知石墨在一定条件下可将D还原成B,反应方程式为SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的键能为a,SiO2中Si—O的键能为b,晶体硅中Si—Si的键能为c,CO的键能为d,请用a、b、c、d表示生成晶体硅时的反应热△H=                   。

 

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