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    多晶硅生产工艺流程如下: (1) 粗硅粉碎的目的是 . (2) 合成SiHCl3时发生主要反应的化学方程式为 . (3) 900℃以上.H2与SiHCl3发生如下反应:SiHCl3 (g)+H2 (g)Si ΔH>0.其平衡常数表达式为K= .SiHCl3不可接触水分.其与水反应的化学方程式为 . (4) 该流程中可以循环使用的物质是 . (5) SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应.可以制得SiHCl3.其化学方程式为 . 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    多晶硅生产工艺流程如下：

    （1）粗硅粉碎的目的是
    增大接触面积，加快反应速率，充分反应
    增大接触面积，加快反应速率，充分反应
    ．分离SiHCl3（l）和SiCl4（l）的方法为
    蒸馏
    蒸馏
    ．
    （2）900℃以上，H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常数表达式为K=
    c3(HCl)
    c(SiHCl)×c(H2)
    c3(HCl)
    c(SiHCl)×c(H2)
    ．为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有
    升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度
    升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度
    ．
    （3）该流程中可以循环使用的物质是
    HCl、H2
    HCl、H2
    ．
    （4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为
    3SiCl4+Si+2H2═4SiHCl3
    3SiCl4+Si+2H2═4SiHCl3
    ．

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    多晶硅生产工艺流程如下：

    （1）粗硅粉碎的目的是    。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为    。

    （2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g)    ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K =     。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有    。

    （3）该流程中可以循环使用的物质是    。

    （4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为    。

     

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    多晶硅生产工艺流程如下：

    （1）粗硅粉碎的目的是      。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为       。

    （2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g)    ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K =      。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有      。

    （3）该流程中可以循环使用的物质是       。

    （4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为       。

     

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    多晶硅生产工艺流程如下：

    （1）粗硅粉碎的目的是   。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为   。
    （2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g)    ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K =     。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有   。
    （3）该流程中可以循环使用的物质是   。
    （4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为   。

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    多晶硅生产工艺流程如下：

    （1）粗硅粉碎的目的是     。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为      。
    （2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g)    ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K =      。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有     。
    （3）该流程中可以循环使用的物质是      。
    （4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为      。

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