28.工业上电解饱和食盐水能制取多种化工原料.其中部分原料可用于制备多晶硅. (1)上图是离子交换膜法电解饱和食盐水示意图.电解槽阳极产生的气体是 ,NaOH溶液的出口为 ,精制饱和食盐水的进口为 ,干燥塔中使用的液体干燥剂是 . (2)原料粗盐中常含有泥沙和Ca2+.Mg2+.Fe3+.SO42-等杂质.必须精制后才能供电解使用.精制时.粗盐溶于水过滤后.还要加入的试剂分别为①Na2CO3.②HCl③BaCl2.这3种试剂添加的合理顺序是 . (3)多晶硅主要采用SiHCl3还原工艺生产.其副产物SiCl4的综合利用收到广泛关注. SiCl4可制气相白炭黑(与光导纤维主要原料相同).方法为高温下SiCl4与H2和O2反应.产物有两种.化学方程式为 . SiCl4也可转化为SiHCl3而循环使用.一定条件下.在20 L恒容密闭容器中发生反应:3SiCl4(g)+2H24SiHCl3(g).达平衡后.H2与SiHCl3物质的量浓度分别为0.140mol/L和0.020mol/L.若H2全部来源于离子交换膜法的电解产物.理论上需消耗纯NaCl的物质的量为 mol. (4)已知1 g阴极产生的气体在阳极产生的气体中完全燃烧时放出92.3 KJ的热量,则该反应的热化学方程式为: . 【查看更多】

 

题目列表(包括答案和解析)

(本题满分18分)本题共有3个小题,第1小题满分3分,第2小题满分6分,第3小题满分9分.

已知的三个顶点在抛物线:上运动,

(1). 求的焦点坐标;

(2). 若点在坐标原点, 且 ,点在上,且  ,

求点的轨迹方程;

(3). 试研究: 是否存在一条边所在直线的斜率为的正三角形,若存在,求出这个正三角形的边长,若不存在,说明理由.

 

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(本题满分18分,第(1)小题4分,第(2)小题6分,第(2)小题8分)

已知双曲线C:的一个焦点是,且。

(1)求双曲线C的方程;

(2)设经过焦点的直线的一个法向量为,当直线与双曲线C的右支相交于不同的两点时,求实数的取值范围;并证明中点在曲线上。

(3)设(2)中直线与双曲线C的右支相交于两点,问是否存在实数,使得为锐角?若存在,请求出的范围;若不存在,请说明理由。

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(本题满分18分,其中第1小题6分,第2小题4分,第3小题8分)

现有变换公式:可把平面直角坐标系上的一点变换到这一平面上的一点.

(1)若椭圆的中心为坐标原点,焦点在轴上,且焦距为,长轴顶点和短轴顶点间的距离为2. 求该椭圆的标准方程,并求出其两个焦点、经变换公式变换后得到的点和的坐标;

(2) 若曲线上一点经变换公式变换后得到的点与点重合,则称点是曲线在变换下的不动点. 求(1)中的椭圆在变换下的所有不动点的坐标;

(3) 在(2)的基础上,试探究:中心为坐标原点、对称轴为坐标轴的椭圆和双曲线在变换下的不动点的存在情况和个数.

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(04年上海卷理)(18分)

设P1(x1,y1), P1(x2,y2),…, Pn(xn,yn)(n≥3,n∈N) 是二次曲线C上的点, 且a1=2, a2=2, …, an=2构成了一个公差为d(d≠0) 的等差数列, 其中O是坐标原点. 记Sn=a1+a2+…+an.

(1)      若C的方程为=1,n=3. 点P1(3,0) 及S3=255, 求点P3的坐标;

 (只需写出一个)

(2)若C的方程为(a>b>0). 点P1(a,0), 对于给定的自然数n, 当公差d变化时, 求Sn的最小值;

. (3)请选定一条除椭圆外的二次曲线C及C上的一点P1,对于给定的自然数n,写出符合条件的点P1, P2,…Pn存在的充要条件,并说明理由.

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本小题满分18分) 本题共有3个小题,第1小题满分4分,第2小题满分6分,第3小题满分8分.

设函数是定义域为R的奇函数.

(1)求k值;

(2)(文)当时,试判断函数单调性并求不等式f(x2+2x)+f(x-4)>0的解集;

(理)若f(1)<0,试判断函数单调性并求使不等式恒成立的的取值范围;

(3)若f(1)=,且g(x)=a 2x+a - 2x-2m f(x) 在[1,+∞)上的最小值为-2,求m的值.

 

 

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