在物理学中.用磁感应强度(用字母B表示.国际单位是特斯拉.符号是T) 表示磁场的强弱.磁感应强度B越大.磁场越强,磁感线可形象.直观地观描述磁场. 磁感线越密.磁场越强. (1)图甲为某磁极附近磁感线的方向和分布的示意图.由图可知,该磁极为 ▲ 极,若在 1处放置一个小磁针,当小磁针静止时,其指向应是图乙中的 ▲ . 第26题图 (2)如果电阻的大小随磁场的强弱变化而变化,则这种 电阻叫磁敏电阻.某磁敏电阻R的阻值随磁感应强 度B变化的图象如图丙所示.根据图线可知,磁敏 电阻的阻值随磁感应强度B的增大而 ▲ .图线 没有过坐标原点,是因为 ▲ . (3)利用该磁敏电阻的R-B特性曲线可以测量图甲磁 场中各处的磁感应强度: ①将该磁敏电阻R放置在磁场中的位置1处.小明同 学设计了一个可以测量该磁敏电阻R的电路.所提 供的实验器材如图丁所示.其中磁敏电阻所处的磁场未画出.请你将该实验电路连接 完整. 图丁 ②正确接线后.测得的数据如上表所示.该磁敏电阻的测量值为 ▲ Ω. ③根据该磁敏电阻的R-B特性可知,1处的磁感应强度为 ▲ T. ④在实验过程中,仅将磁敏电阻从1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数 ▲ (选填“增大 .“减小 .“不变 ).电压表的示数 ▲ . 【查看更多】

 

题目列表(包括答案和解析)

在物理学中,用磁感应强度(用字母B表示,国际单位:特斯拉,符号是T)表示磁场的强弱.磁感应强度B越大,磁场越强.

(1)用某种材料制做的磁敏电阻,其阻值R随磁感应强度B变化的图象如图甲所示.由图象可知磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而
增大
增大
,曲线没有过坐标原点,是因为
放入磁场前,磁敏电阻不为零
放入磁场前,磁敏电阻不为零
.
(2)利用该磁敏电阻的R-B特性曲线,可测量图乙磁场中各处的磁感应强度.
1 2 3
U/V 1.50 3.00 4.50
I/mA 3.00 6.00 9.00
①将该磁敏电阻R放置在磁场中的1处,利用图丙所示的实验电路,改变滑动变阻器的阻值得到3组电压及电流的实验数据,如上表所示.则该磁敏电阻的测量值是
500
500
Ω,位置1处的磁感应强度为
1.0
1.0
T
②实验中,仅将磁敏电阻从位置1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数将会变
大
大
,电压表的示数将会变
小
小
.

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在物理学中,用磁感应强度(用字母B表示,国际单位:特斯拉,符号是T)表示磁场的强弱。磁感应强度B越大,磁场越强。

⑴ 用某种材料制做的磁敏电阻,其阻值R随磁感应强度B变化的图像如图13甲所示。由图像可知磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而    ,曲线没有过坐标原点,是因为             。

⑵ 利用该磁敏电阻的R-B特性曲线,可测量图13乙磁场中各处的磁感应强度。

① 将该磁敏电阻R放置在磁场中的1处,利用图13丙所示的实验电路,改变滑动变阻器的阻值得到3组电压及电流的实验数据,如表格所示。则该磁敏电阻的测量值是   Ω,位置1处的磁感应强度为   T。

② 实验中,仅将磁敏电阻从位置1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数将会变     ,电压表的示数将会变     。

1

2

3

U/V

1.50

3.00

4.50

I/mA

3.00

6.00

9.00

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在物理学中,磁场的强弱用磁感应强度(用字母B表示,国际单位是特斯拉,符号是T)来表示,磁感线越密的地方,磁场越强,磁感应强度B越大.
(1)在图中,甲为某磁极附近磁感线的方向和分布的示意图,由图可知,该磁极为
N
N
极,若在1处放置一个小磁针,当小磁针静止时,其指向应是图乙中的
甲
甲
.
(2)磁敏电阻阻值的大小随磁场的强弱变化而变化,图丁是某磁敏电阻R的阻值随磁感应强度B变化的图象,根据图线可知,磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而
增大
增大
.图线没有过坐标原点,说明了
放入磁场前,磁敏电阻的阻值不为零
放入磁场前,磁敏电阻的阻值不为零
.

1 2 3
U/I 1.50 3.00 4.50
I/mA 3.00 6.00 9.00
(3)王强设计了一个可以测量该磁敏电阻R的电路如图丙所示,(其中磁敏电阻所处的磁场未画出).将该磁敏电阻R放置在磁场中的位置某处,测出电阻后,利用R-B特性曲线可以读出相应的磁感应强度.
①在图甲磁场中1处,测得的数据如图中所示,则该磁敏电阻的测量值为
500
500
Ω.
②根据该磁敏电阻的R-B特性曲线可知,1处的磁感应强度为
1.0
1.0
T.
③在实验过程中,仅将磁敏电阻从1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数
增大
增大
(填“增大”、“减小”或“不变”).
④依据上述方法获得的磁感应强度B的测量值与该点实际值存在不小的误差,为尽可能准确反映空间某点磁场的强弱,你认为在选择磁敏电阻时应注意什么问题?

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在物理学中,磁场的强弱用磁感应强度(用字母B表示,国际单位是特斯拉,符号是T)来表示,磁感线越密的地方,磁场越强,磁感应强度B越大.

(1)在图20中,甲为某磁极附近磁感线的方向和分布的示意图,由图可知,该磁极为 ▲ 极,若在l处放置一个小磁针,当小磁针静止时,其指向应是图乙中的  ▲   .
(2)磁敏电阻阻值的大小随磁场的强弱变化而变,图丁是某磁敏电阻R的阻值随磁感应强度B变化的图象,据图线可知,磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而▲ .图线没有过坐标原点,说明  ▲  .
(3)王强设计了一个可以测量该磁敏电阻R的电路如图丙所示,(其中磁敏电阻所处的磁场未画出).将该磁敏电阻R放置在磁场中的位置某处,测出电阻后,利用R—B特性曲线可以读出相应的磁感应强度.
①在图甲磁场中1处,测得的数据如图20表中所示,则该磁敏电阻的测量值为 ▲ Ω. 
②根据该磁敏电阻的R-B特性曲线可知,1处的磁感应强度为   ▲    T.
③在实验过程中,仅将磁敏电阻从1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数
▲   (填“增大”、“减小”或“不变”).
④依据上述方法获得的磁感应强度B的测量值与该点实际值存在不小的误差,为尽可能准确反映空间某点磁场的强弱,你认为在选择磁敏电阻时应注意什么问题?

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在物理学中,磁场的强弱用磁感应强度(用字母B表示,国际单位是特斯拉,符号是T)来表示,磁感线越密的地方,磁场越强,磁感应强度B越大.

(1)在图20中,甲为某磁极附近磁感线的方向和分布的示意图,由图可知,该磁极为 ▲ 极,若在l处放置一个小磁针,当小磁针静止时,其指向应是图乙中的  ▲   .
(2)磁敏电阻阻值的大小随磁场的强弱变化而变,图丁是某磁敏电阻R的阻值随磁感应强度B变化的图象,据图线可知,磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而▲ .图线没有过坐标原点,说明  ▲  .
(3)王强设计了一个可以测量该磁敏电阻R的电路如图丙所示,(其中磁敏电阻所处的磁场未画出).将该磁敏电阻R放置在磁场中的位置某处,测出电阻后,利用R—B特性曲线可以读出相应的磁感应强度.
①在图甲磁场中1处,测得的数据如图20表中所示,则该磁敏电阻的测量值为 ▲ Ω. 
②根据该磁敏电阻的R-B特性曲线可知,1处的磁感应强度为   ▲    T.
③在实验过程中,仅将磁敏电阻从1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数
▲   (填“增大”、“减小”或“不变”).
④依据上述方法获得的磁感应强度B的测量值与该点实际值存在不小的误差,为尽可能准确反映空间某点磁场的强弱,你认为在选择磁敏电阻时应注意什么问题?

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