21.⑴第ⅢA.ⅤA元素组成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型半导体材料.其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为 ▲ .在GaN晶体中.与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ .在四大晶体类型中.GaN属于 ▲ 晶体. ⑵铜.铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子.另一方是具有 ▲ 的原子或离子 ⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题: ① H.N.O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ . ②SO2分子的空间构型为 ▲ .与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲ ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ .乙二胺和三甲胺均属于胺.但乙二胺比三甲胺的沸点高的多.原因是 ▲ . ④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ . a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键 ⑤CuCl的晶胞结构如右图所示.其中Cl原子的配位数为 ▲ . 【查看更多】

 

题目列表(包括答案和解析)

⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为    ▲    。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为   ▲   。在四大晶体类型中,GaN属于  ▲  晶体。

⑵O%铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有    ▲   的原子或离子

⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是   ▲  。

②SO2分子的空间构型为  ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为  ▲

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有   ▲   。   

a.配位键     b.极性键     c.离子键    d.非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示,其中Cl原子的配位数为    ▲  。

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⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为    ▲    。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为   ▲   。在四大晶体类型中,GaN属于  ▲ 晶体。

⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有   ▲   的原子或离子

⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是   ▲  。

②SO2分子的空间构型为  ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为  ▲

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有  ▲   。   

a.配位键     b.极性键    c.离子键    d.非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示,其中Cl原子的配位数为    ▲  。

 

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(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为   ▲    。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为  ▲   。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲  晶体。

⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有    ▲   的原子或离子

⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是  ▲  。

②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为  ▲

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有   ▲   。

a.配位键    b.极性键     c.离子键    d.非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为   ▲  。

 

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(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为    ▲   。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为   ▲  。在四大晶体类型中,GaN属于  ▲ 晶体。
⑵K^S*5U.C#O%铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有    ▲  的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是   ▲ 。
②SO2分子的空间构型为  ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为  ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为  ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是  ▲  。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有   ▲  。
a.配位键     b.极性键     c.离子键    d.非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为    ▲ 。

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⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为    ▲    。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为   ▲   。在四大晶体类型中,GaN属于  ▲  晶体。

⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有    ▲   的原子或离子

⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是   ▲  。

②SO2分子的空间构型为  ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为  ▲

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有   ▲   。   

a.配位键     b.极性键     c.离子键    d.非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示,其中Cl原子的配位数为    ▲  。

 

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