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偏钒酸铵(NH4VO3)主要用作催化剂、催干剂、媒染剂等。用沉淀法除去工业级偏钒酸铵中的杂质硅、磷的流程如下:

(1)碱溶时,下列措施有利于NH3逸出的是_____(填字母)。

A.升高温度 B.增大压吸 C.增大NaOH溶液的浓度

(2)①滤渣的主要成分为Mg3(PO4)2、MgSiO3,已知Ksp(MgSiO3)=2.4×l0-5.若滤液中c(SiO32-)=0.08mol/L,则c(Mg2+)=__________。

②由图可知,加入一定量的MgSO4溶液作沉淀剂时,随着温度的升高,除磷率下降,其原因是温度升高,Mg3(PO4)2溶解度增大和_______;但随着温度的升高,除硅率升高,其原因是______(用离子方程式表示)。

(3)沉钒时,反应温度需控制在50℃,在实验室可采取的加热方式为_______。

(4)探究NH4Cl的浓度对沉钒率的影响,设计实验步骤(常见试剂任选):取两份10mL一定浓度的滤液A和B,分别加入lmL和10mL的1mol/LNH4Cl溶液,再向A中加入_______mL蒸馏水,控制两份溶液温度均为50℃、pH均为8,由专用仪器洲定沉钒率。加入蒸馏水的目的是______。

(5)偏钒酸铵本身在水中的溶解度不大,但在草酸(H2C2O4)溶液中因发生氧化还原反应而溶解,同时生成络合物(NH4)2[(VO)2(C2O4)3],该反应的化学方程式为_________。

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B. 原子半径:辛>戊>甲

C. 丙与庚的元素原子核外电子数相差13

D. 形成的最简单氢化物的稳定性:己>戊

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根据元素周期律,由下列事实进行归纳推测,推测不合理的是

选项

事实

推测

A

Mg与水反应缓慢,Ca与水反应较快

Ba与水反应会更快

B

Si是半导体材料,同族的Ge也是半导体材料

第ⅣA族的元素的单质都可作半导体材料

C

HCl在1 500 ℃时分解,HI在230 ℃时分解

HBr的分解温度介于二者之间

D

Si与H2高温时反应,S与H2加热能反应

P与H2在高温时能反应

A. A B. B C. C D. D

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A. 1mol由Na2O和Na2O2组成的混合物中,含有的离子数为3NA

B. 1L1mol·L-1饱和氯化铁溶液滴入沸水中完全反应生成氢氧化铁胶粒数为NA

C. 1L 12mol•L-1浓盐酸和足量MnO2在加热条件下充分反应,生成的气体的分子数为3NA

D. 等物质的量的H2O和CO2所含原子数均为3NA

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A. 图中能量转化方式只有一种

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化学键没有被破坏的是________;仅发生离子键破坏的是_______ ; 仅发生共价键破坏的是________;既发生离子键又发生共价键破坏的是_______。

(2)已知1mol Si中含1mol Si—Si键。

化学键

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

键能/

kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

请回答下列问题:

①已知Si、SiC、SiO2熔化时必须断裂所含化学键,比较下列物质的熔点高低(填“>”或“<”):SiC________Si。

②工业上高纯硅可通过下列反应制取:SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g),则2 mol H2生成高纯硅需________(填“吸收”或“放出”)能量________kJ。

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