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单匝闭合线框在匀强磁场中,绕垂直于磁场方向的转轴OO′匀速转动,在转动过程中,穿过线框的最大磁通量为Φm,线框中的最大感应电动势为Em,下列说法中正确的是

A.在穿过线框的磁通量为的时刻,线框中的感应电动势为
B.在穿过线框的磁通量为的时刻,线框中的感应电动势为
C.线框每转动一周,线框中的感应电流方向改变一次
D.线框转动的角速度为

BD

解析试题分析:闭合线框在匀强磁场中绕垂直于磁场方向的转轴匀速转动,若从中性面开始计时,穿过线框的磁通量Φ按余弦规律变化,线框中产生的感应电动势按正弦规律变化,在穿过线框的磁通量为的时刻,线框中的感应电动势大于,A错误;在穿过线框的磁通量为的时刻,线框中的感应电动势等于,B项正确;线框每转动一周,线框中感应电流的方向改变两次,C错误;由EmBSωΦmω解得线框转动的角速度为ω,D正确.
故选BD
考点:考查了交流电的产生原理
点评:本题就是考查学生对最大感应电动势为和最大磁通量的理解,应用公式可直接求出.

练习册系列答案
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科目:高中物理 来源: 题型:

(2008?北京)均匀导线制成的单匝正方形闭合线框abcd,每边长为L,总电阻为R,总质量为m,将其置于磁感强度为B的水平匀强磁场上方h处,如图所示.线框由静止自由下落,线框平面保持在竖直平面内,且cd边始终与水平的磁场边界面平行,当cd边刚进入磁场时.
(1)求cd两点间的电势差大小;
(2)若此时线框加速度恰好为零,求线框下落的高度h所应满足的条件.

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2013?永康市模拟)均匀导线制成的单匝正方形闭合线框abcd,每边长L=0.1m,总电阻R=0.1Ω,总质量为m=0.1kg.将其置于磁感强度B=1.0T的水平匀强磁场上方h处,如图所示.线框由静止自由下落,线框平面保持在竖直平面内,且cd边始终与水平的磁场边界面平行,取g=10m/s2
(1)当cd边刚进入磁场时,线框做匀速直线运动,求线框下落的高度h;
(2)线框进入磁场过程中的电功率P;
(3)若磁场的宽度等于L,从cd刚进入磁场到ab完全离开磁场的过程中,试在答题卷的坐标纸中画出cd两点间的电势差Ucd与时间的关系图线,在图象中注明关键点的数据(不要求书写求解过程);
(4)为了减小下落的高度就能使线框刚进入磁场时就做匀速直线运动,三个同学各自提出了方案:
甲:用同种规格的导线,做成边长为2L的单匝线框;
乙:用同种材料但粗一些的导线,做成边长仍为L的单匝线框;
丙:用同种规格的导线,做成边长仍为L的双匝线框;
对上述三位同学的方案,请给出你的评价.

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科目:高中物理 来源:2011-2012学年江西省高三联合考试理综物理卷(解析版) 题型:选择题

如图所示,由粗细均匀的导电材料做成的单匝矩形线框abcd的电阻为R,线框的质量为m,高度为L、宽度为2L.若线框无初速度地从高处落下,下边保持水平向下平动.在线框的下方,有一个上、下界面都是水平的匀强磁场区,磁场区高度为2L,磁场方向与线框平面垂直.闭合线圈下落后,可匀速进入磁场区.对此,下列说法中正确的是

A.线圈ab边刚进入磁场时,感应电流的方向为a→b→c→d→a        

B.线圈ab边刚进入磁场时,a、b两点间的电压为

C.线圈在磁场以上,下落的高度为

D.线圈从开始下落到ab边刚好离开磁场的过程中,电路中产生的电能为2mgL

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,由粗细均匀的导电材料做成的单匝矩形线框abcd的电阻为R,线框的质量为m,高度为L、宽度为2L.若线框无初速度地从高处落下,下边保持水平向下平动.在线框的下方,有一个上、下界面都是水平的匀强磁场区,磁场区高度为2L,磁场方向与线框平面垂直.闭合线圈下落后,可匀速进入磁场区.对此,下列说法中正确的是

A.线圈ab边刚进入磁场时,感应电流的方向为abcda    

B.线圈ab边刚进入磁场时,ab两点间的电压为

C.线圈在磁场以上,下落的高度为

D.线圈从开始下落到ab边刚好离开磁场的过程中,电路中产生的电能为2mgL

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科目:高中物理 来源:2012届江西省赣州三中、于都中学高三联合考试理综物理卷(带解析) 题型:单选题

如图所示,由粗细均匀的导电材料做成的单匝矩形线框abcd的电阻为R,线框的质量为m,高度为L、宽度为2L.若线框无初速度地从高处落下,下边保持水平向下平动.在线框的下方,有一个上、下界面都是水平的匀强磁场区,磁场区高度为2L,磁场方向与线框平面垂直.闭合线圈下落后,可匀速进入磁场区.对此,下列说法中正确的是

A.线圈ab边刚进入磁场时,感应电流的方向为a→b→c→d→a
B.线圈ab边刚进入磁场时,a、b两点间的电压为
C.线圈在磁场以上,下落的高度为
D.线圈从开始下落到ab边刚好离开磁场的过程中,电路中产生的电能为2mgL

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