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电视机的显像管中,电子束的偏转是用磁偏转技术实现的.电子束经过电压为U的加速电场后,进入一圆形匀强磁场区,如图15-5所示.磁场方向垂直于圆面,磁场区的中心为O,半径为 r.当不加磁场时,电子束将通过O点而打到屏幕的中心M点.为了让电子束射到屏幕边缘P点,需要加磁场,使电子束偏转一已知角度θ,此时磁场的磁感应强度B应为多少?

图15-5

解析:电子经加速电压加速后,具有一定的速度,速度的大小取决于加速电压的大小.运动的电子进入磁场区域便受到磁场的洛伦兹力作用,作用于电子的洛伦兹力只改变电子速度的方向,不改变速度的大小.当电子处在磁场区域时,作用于电子的洛伦兹力使电子做圆周运动,洛伦兹力便是圆周运动中的向心力.电子一离开磁场区域,洛伦兹力消失,电子将做匀速直线运动.做匀速直线运动的速度的大小等于电子射入磁场时的速度的大小,速度的方向沿圆周轨道与磁场区域边界交点处的切线方向.

图15-6

    如图15-6所示,电子在磁场中做圆周运动,在磁场中的那一段轨道为圆弧ab,圆心为C,半径为R.以v表示电子进入磁场时的速度,m、e分别表示电子的质量和电荷量,则

eU=mv2                                                ①

    evB=                                           ②

    从图可知已知偏转角度θ与r、R的关系为tan      ③

    由式①②③解得 B=

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A.电子枪发射能力减弱,电子数减少

B.加速电场的电压过高,电子速率偏大

C.偏转线圈电流增大,偏转磁场增强

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    A.电子枪发射能力减弱,电子数减少   B.加速电场的电压过高,电子速率偏大

    C.偏转线圈电流增大,偏转磁场增强   D.偏转线圈电流过小,偏转磁场减弱

 

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A.电子枪发射能力减弱,电子数减少
B.加速电场的电压过高,电子速率偏大
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