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    11．如图(甲)所示中bacd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的电阻为R.整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中.磁感应强度B的变化情况如图(乙)所示.PQ始终静止.则0~ts内(t=0时刻.安培力大于mgsinθ).PQ受到的摩擦力Ff的分析情况正确的是 A．Ff先减小后增大.且在t1时刻为零 B．Ff先减小后增大.且在t1时刻Ff=mgsinθ C．Ff先增大后减小.且在t1时刻为最大值 D．Ff先增大后减小.且在t1时刻Ff=mgsinθ 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．
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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)

     

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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．

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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像一定错误的是(取平行斜面向上为正方向)
    [     ]
    A、
    B、
    C、
    D、

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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)
    [     ]
    A.
    B.
    C.
    D.

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