6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响).要求误差较小. 提供的器材如下: A.磁敏电阻.无磁场时阻值Ro=150Ω B.滑动变阻器R.全电阻约20Ω C.电流表④.量程2.5mA.内阻约30Ω D.电压表⑦.量程3v.内阻约3kΩ E.直流电源E.电动势3v.内阻不计 F.开关S.导线若千 (2)正确接线后.将磁敏电阻置人待测磁场中.测量数据如下表: l 2 3 4 5 6 U(V) 0.00 0.45 0.91 1.50 1.79 2.71 I(mA) 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80 根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=______Ω. 结合图l 可知待测磁场的磁感应强度B =______T . ( 3 )试结合图l 简要回答.磁感应强度B 在0 ~0.2T 和0.4 ~1.0T 范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同? ( 4 )某同学查阅相关资料时看到了图3 所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻~磁感应强度特性曲线.由图线可以得到什么结论? 答案:( l )如右图所示 ( 2 ) 1500 0.90 ( 3 )在0 ~0.2T 范围内.磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化,在0 . 4 ~1 .0T 范围内.磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化磁场反向.磁敏电阻的阻值不变. [例4] I.右图为一正在测量中的多用电表表盘. (1)如果是用×10档测量电阻.则读数为 . (2)如果是用直流10 mA档测量电流.则读数为 mA. (3)如果是用直流5 V档测量电压.则读数为 V. 答案:Ⅰ.3.59 解析:欧姆档在最上面的一排数据读取.读数为6×10Ω=60Ω,电流档测量读取中间的三排数据的最底下一排数据.读数为7.18mA,同样直流电压档测量读取中间的三排数据的中间一排数据较好.读数为35.9×0.1V=3.59V. [例5] 有一电流表A.量程为1mA.内阻rg约为100Ω.要求测量其内阻.可选用的器材有:电阻箱R0.最大阻值为99999.9Ω,滑动变阻器甲.最大阻值为10kΩ,滑动变阻器乙.最大阻值为2kΩ,电源E1.电动势约为2V.内阻不计,电源E2.电动势约为6V.内阻不计,开关2个.导线若干. 采用的测量电路图如图所示.实验步骤如下: a.断开S1和S2.将R调到最大,b.合上S1.调节R使A满偏,c.合上S2.调节R1使A半偏.此时可认为的A的内阻rg=R1.试问: (ⅰ)在上述可供选择的器材中.可变电阻R1应该选 ① ,为了使测量尽是精确.可变电阻R应该选择 ② ,电源E应该选择 ③ . (ⅱ)认为内阻rg=R1.此结果与的rg真实值相比 ④ .(填“偏大 .“偏小 .“相等 ) [剖析](ⅰ)根据半偏法的测量原理.R1必须选R0,由于电流表的满偏电流很小.要求R1的阻值很大.故R应选滑动变阻器甲.电源选择E2.误差较小. (ⅱ)根据闭合电路的欧姆定律及电路特点可得: 合上S1.调节R使A满偏: Ig= 合上S2.调节R1使A半偏:I= 故:I>Ig. 所以.通过电阻箱的电流IR1:IR1>Ig 用U表示电阻箱两端电压.则R1=<=Ig 即:rg>R1 故:认为内阻rg=R1.此结果与的rg真实值相比偏小. [答案](ⅰ)R0 滑动变阻器甲 E2 (ⅱ)偏小 [名师指引]是新教材新增加的一个分组实验.复习时实验应从实验目的.原理.仪器.步骤.误差等方面加强研究. [例6] 检测一个标称值为5Ω的滑动变阻器.可供使用的器材如下: A.待测滑动变阻器Rx.全电阻约5Ω(电阻丝绕制紧密.匝数清晰可数) B.电流表A1.量程0.6A.内阻约0.6Ω C.电流表A2.量程3A.内阻约0.12Ω D.电压表V1.量程15V.内阻约15KΩ E.电压表V2.量程3V.内阻约3KΩ F.滑动变阻器R.全电阻约20Ω G.直流电源E.电动势3V.内阻不计 H.游标卡尺 I.毫米刻度尺 J.电键S导线若干 (1)用伏安法测定Rx的全电阻值.所选电流表 (填“A1 或“A2 ).所选电压表为 (填“V1 或“V2 ). (2)画出测量电路的原理图.并根据所画原理图将下图中实物连接成测量电路. 电路原理图和对应的实物连接如图 (3)为了进一步测量待测量滑动变阻器电阻丝的电阻率.需要测量电阻丝的直径和总长度.在不破坏变阻器的前提下.请设计一个实验方案.写出所需器材及操作步骤.并给出直径和总长度的表达式. [剖析](3) 方案一: 需要的器材:游标卡尺.毫米刻度尺 主要操作步骤: 数出变阻器线圈缠绕匝数n 用毫米刻度尺测量所有线圈的排列长度L.可得电阻丝的直径为d=L/n 用游标卡尺测量变阻器线圈部分的外径D.可得电阻丝总长度l=nπ(D-)也可以用游标卡尺测量变阻器瓷管部分的外径D.得电阻丝总长度l=n(D-). 重复测量三次.求出电阻丝直径和总长度的平均值 方案二 需要的器材:游标卡尺 主要的操作步走骤: 数出变阻器线圈缠绕匝数n 用游标卡尺测量变阻器线圈部分的外径D1 和瓷管部分的外经D2.可得电阻丝的直径为d= 电阻丝总长度l=π(D1+D2) 重复测量三次.求出电阻丝直径和总长度的平均值 [答案] (1)A1 V2 见剖析 ★抢分频道 ◇限时基础训练 班级 姓名 成绩 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家.材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度.

若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RBRO分别表示有、无磁敏电阻的阻值.为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB.请按要求完成下列实验.

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0 T,不考虑磁场对电路其它部分的影响).要求误差较小.

提供的器材如下:

A.磁敏电阻,无磁场时阻值R0=150 Ω

B.滑动变阻器R,全电阻约20 Ω

C.电流表,量程2.5 mA,内阻约30 Ω

D.电压表,量程3 V,内阻约3 kΩ

E.直流电源E,电动势3V,内阻不计

F.开关S,导线若干

(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:

根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=________Ω,结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=________T.

(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?

(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度。

  若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RBRO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响)。要求误差较小。

     提供的器材如下:

     A.磁敏电阻,无磁场时阻值

     B.滑动变阻器R,全电阻约

     C.电流表,量程2.5mA,内阻约

     D.电压表,量程3V,内阻约3k

     E.直流电源E,电动势3V,内阻不计

     F.开关S,导线若干

(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:

1

2

3

4

5

6

U(V)

0.00

0.45

0.91

1.50

1.79

2.71

I(mA)

0.00

0.30

0.60

1.00

1.20

1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ,结合图1可知待测磁场的磁感

应强度B=           T。

(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?

(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度。
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RBRO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响)。要求误差较小。
提供的器材如下:

A.磁敏电阻,无磁场时阻值
B.滑动变阻器R,全电阻约
C.电流表,量程2.5mA,内阻约
D.电压表,量程3V,内阻约3k
E.直流电源E,电动势3V,内阻不计
F.开关S,导线若干
(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:

 
1
2
3
4
5
6
U(V)
0.00
0.45
0.91
1.50
1.79
2.71
I(mA)
0.00
0.30
0.60
1.00
1.20
1.80
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=         ,结合图1可知待测磁场的磁感
应强度B=          T。
(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?
(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度。
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RBRO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响)。要求误差较小。
提供的器材如下:

A.磁敏电阻,无磁场时阻值
B.滑动变阻器R,全电阻约
C.电流表,量程2.5mA,内阻约
D.电压表,量程3V,内阻约3k
E.直流电源E,电动势3V,内阻不计
F.开关S,导线若干
(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:
 
1
2
3
4
5
6
U(V)
0.00
0.45
0.91
1.50
1.79
2.71
I(mA)
0.00
0.30
0.60
1.00
1.20
1.80
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=         ,结合图1可知待测磁场的磁感
应强度B=          T。
(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?
(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度。

  若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RBRO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响)。要求误差较小。

     提供的器材如下:

     A.磁敏电阻,无磁场时阻值

     B.滑动变阻器R,全电阻约

     C.电流表,量程2.5mA,内阻约

     D.电压表,量程3V,内阻约3k

     E.直流电源E,电动势3V,内阻不计

     F.开关S,导线若干

(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:

1

2

3

4

5

6

U(V)

0.00

0.45

0.91

1.50

1.79

2.71

I(mA)

0.00

0.30

0.60

1.00

1.20

1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ,结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=           T。

(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?

(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

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