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    18．(1) A . 半导体材料 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    半导体材料的导电性能受外界条件的影响很大，有的半导体在温度升高时其电阻减小得非常迅速．利用这种半导体材料可以制成体积很小的热敏电阻．如图所示是火警报警系统的部分电路，其中RT为热敏电阻，电流表A为值班室的显示器，a、b之间接报警器．当热敏电阻RT所在处出现火情时．显示器A的电流I、报警器两端的电压U的变化情况是（　　）

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    半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示。已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e。将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I。求：?

    （1）在半导体A′A两个侧面的电压是多少？?

    （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？?

    （3）C、C′两个侧面哪个面电势较高？?

    （4）若测得C、C′两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强度是多少？???

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    半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示。已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e。将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I。求：?

    （1）在半导体A′A两个侧面的电压是多少？?

    （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？?

    （3）C、C′两个侧面哪个面电势较高？?

    （4）若测得C、C′两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强度是多少？???

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    半导体材料的导电性能受外界条件的影响很大， 有的半导体在温度升高时其电阻减小得非常迅速．利用这种半导体材料可以制成体积很小的热敏电阻。如图所示是火警报警系统的部分电路，其中 RT 为热敏电阻，电流表 A 为值班室的显示器，a、b 之间接报警器。当热敏电阻 RT 所在处出现火情时．显示器 A 的电流 I、报警器两端的电压 U 的变化情况是                                                       （    ）

           A．I 变大，U 变大

           B．I 变大，U 变小

           C．I 变小，U 变大

           D．I 变小，U 变小

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    半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时

    A．电压表示数增大       B．R2中电流增大

    C．小灯泡L的功率增大   D．电路中路端电压降低

     

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