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    15．如图所示.虚框内为“研究电磁感应现象 的实验装置. ①将图中所缺的导线补接完整. ②将原线圈插入副线圈.在闭合电键时发现灵敏电流计的指针向右偏了一下.那么在合上电键后,将滑动变阻器触头迅速向左拉时,电流计指针向 ▲ 转一下. 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    （1）“研究匀变速直线运动”的实验中，使用电磁式打点计时器（所用交流电的周期T=0.02s），得到如图1所示的纸带．图中的点为计数点，相邻两计数点间还有四个点未画出来．则相邻两个计数点间的时间间隔为
    0.1
    0.1
    s，计数点B对应的速率的表达式为ⅤB=
    s2+s3
    10T
    s2+s3
    10T
    ，小车的加速度的表达式为a=
    (s3+s4)-(s1+s2)
    100T2
    (s3+s4)-(s1+s2)
    100T2

    （2）某研究性学习小组为了制作一种传感器，需要选用一电器元件．图2为该电器元件的伏安特性曲线，有同学对其提出质疑，先需进一步验证该伏安特性曲线，实验室备有下列器材：
    器材（代号） 规格 
    电流表（A1）
    电流表（A2）
    电压表（V1）
    电压表（V2）
    滑动变阻器（R1）
    滑动变阻器（R2）
    直流电源（E）
    开关（S）导线若干    		 量程0～50mA，内阻约为50
    量程0～200mA，内阻约为10
    量程0～3V，内阻约为10k
    量程0～15V，内阻约为25k
    阻值范围0～15，允许最大电流1A
    阻值范围0～1k，允许最大电流0.1A
    输出电压6V，内阻不计
    ①为提高实验结果的准确程度，电流表应选用
    A2
    A2
    ；电压表应选用
    V1
    V1
    ；为方便实验操作，滑动变阻器应选用
    R1
    R1
    ．（以上均填器材代号）
    ②为达到上述目的，请在图3虚线框内画出正确的实验电路原理图，并标明所用器材的代号．
    ③实验发现测得的伏安特性曲线与图中曲线基本吻合，请说明该伏安特性曲线与小电珠的伏安特性曲线有何异同点？相同点：
    通过该元件的电流与电压的变化关系和通过小电珠的电流与电压的变化关系都是非线性关系；
    通过该元件的电流与电压的变化关系和通过小电珠的电流与电压的变化关系都是非线性关系；
    ，不同点
    该元件的电阻随电压升高而变小，而电珠的电阻随电压升高而变大．
    该元件的电阻随电压升高而变小，而电珠的电阻随电压升高而变大．
    ．

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    霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图1所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH=k
    IB
    d
    ，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数．某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数．精英家教网
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    ①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图1所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与
     
    （填“M”或“N”）端通过导线相连．
    ②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示．
    I（×10-3A） 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
    UH（×10-3V） 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
    根据表中数据在表格中画出UH-I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为
     
    ×10-3V?m?A-1?T-1（保留2位有效数字）．
    ③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图2所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向
     
    （填“a”或“b”），S2掷向
     
    （填“c”或“d”）．
    为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中．在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件
     
    和
     
    （填器件代号）之间．

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    霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。

    ①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图丙所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与_________(填“M”或“N”)端通过导线相连。

    ②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量

    I(×10－3 A)

    3.0

    6.0

    9.0

    12.0

    15.0

    18.0

    UH(×10－3 V)

    1.1

    1.9

    3.4

    4.5

    6.2

    6.8

    相应的UH值，记录数据如下表所示。

    根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出UH—I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为_______________（保留2位有效数字）。

    ③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图丁所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）。为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向_______（填“a”或“b”）, S2掷向_______（填“c”或“d”）。

    为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件____________和__________(填器件代号)之间。

    　　　　　　　　　　　　 图丁

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