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    20．如图所示.在光滑绝缘的水平面的上方存在有水平方向的匀强磁场.AB.CD是磁场区域的边界．一个正方形的闭合导线框以水平速度v.冲向磁场区域.当它全部进入磁场区域后速度变为v1.当它全部冲出磁场区域后速度变为v2．比较导线框进入磁场的过程和离开磁场的过程.下列说法正确的是 A．进入过程导线框的速度变化v0-v1等于离开过程导线框的速度变化v1-v2 B．进入过程导线框的动能变化Eko-Ek1等于离开过程导线框的动能变化Ek1-Ek2 C．进入过程导线框产生的热量Q1小于离开过程导线框产生的热量Q2. D．进入过程通过导线框横截面积的电量q1小于离开过程通过导线框横截面积的电量q2 第Ⅱ卷 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    精英家教网如图所示，在光滑绝缘的水平面的上方存在有竖直方向的匀强磁场，AB、CD是磁场区域的边界．一个边长比磁场宽度小的正方形闭合导线框以一定的水平速度冲向磁场区域并穿过磁场．比较导线框进入磁场的过程和离开磁场的过程，下列说法正确的是（　　）

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    如图所示，在光滑绝缘的水平面的上方存在有竖直方向的匀强磁场，AB、CD是磁场区域的边界。一个边长比磁场宽度小的正方形闭合导线框以一定的水平速度冲向磁场区域并穿过磁场。比较导线框进入磁场的过程和离开磁场的过程，下列说法正确的是  （    ）

           A．进入过程导线框的速度变化量大于离开过程导线框的速度变化量   

           B．进入过程导线框的动能变化等于离开过程导线框的动能变化

           C．进入过程导线框产生的热量小于离开过程导线框产生的热量

           D．进入过程通过导线框横截面积的电量等于离开过程通过导线框横截面积的电量

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    如图所示，在光滑绝缘的水平面的上方存在有竖直方向的匀强磁场，AB、CD是磁场区域的边界．一个边长比磁场宽度小的正方形闭合导线框以一定的水平速度冲向磁场区域并穿过磁场．比较导线框进入磁场的过程和离开磁场的过程，下列说法正确的是（ ）

    A．进入过程导线框的速度变化量大于离开过程导线框的速度变化量
    B．进入过程导线框的动能变化等于离开过程导线框的动能变化
    C．进入过程导线框产生的热量小于离开过程导线框产生的热量
    D．进入过程通过导线框横截面积的电量等于离开过程通过导线框横截面积的电量

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    如图所示，在光滑绝缘的水平面的上方存在有水平方向的匀强磁场，AB、CD是磁场区域的边界．一个正方形的闭合导线框以水平速度v．冲向磁场区域，当它全部进入磁场区域后速度变为v1，当它全部冲出磁场区域后速度变为v2．比较导线框进入磁场的过程和离开磁场的过程，下列说法正确的是（ ）

    A．进入过程导线框的速度变化v-v1等于离开过程导线框的速度变化v1-v2
    B．进入过程导线框的动能变化Eko-Ek1等于离开过程导线框的动能变化Ek1-Ek2
    C．进入过程导线框产生的热量Q1小于离开过程导线框产生的热量Q2
    D．进入过程通过导线框横截面积的电量q1小于离开过程通过导线框横截面积的电量q2

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    （2011?安徽二模）如图所示，在光滑绝缘的水平面的上方存在有水平方向的匀强磁场，AB、CD是磁场区域的边界．一个正方形的闭合导线框以水平速度v．冲向磁场区域，当它全部进入磁场区域后速度变为v1，当它全部冲出磁场区域后速度变为v2．比较导线框进入磁场的过程和离开磁场的过程，下列说法正确的是（　　）

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