31． ⑴右图是A与D形成的一种化合物的晶体结构示意图.其中的虚线表示 . E与D按原子个数比1∶1形成的化合物的电子式为 . ⑵化学——青夏教育精英家教网—

31． ⑴右图是A与D形成的一种化合物的晶体结构示意图.其中的虚线表示 . E与D按原子个数比1∶1形成的化合物的电子式为 . ⑵化学反应的ΔH等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差.下表列出了上述部分元素形成的化学键的键能: 化学键 F-----D F------F B------B F------B C-------D D-------D 键能(KJ· mol-1) 460 176 347.7 347 745 479.3 ①下列三种物质形成的晶体.熔点由高到低的顺序: . a．F与B形成的化合物 b．B与D形成的稳定化合物 c．F的单质 ②试估算1molF单质晶体完全燃烧的反应热:ΔH= . 【查看更多】

[化学--物质结构与性质]
铜合金是人类使用最早的金属材料，铜在化合物中常见的化合价有+1、+2价，能形成多种铜的化合物．
（1）基态铜离子（Cu⁺）的电子排布式为

．
（2）+2价铜可形成化合物[Cu（NH₃）₄]SO₄，下列各项中，该物质中不含的化学键类型是

（填字母序号）．
A．离子键 B．金属键 C．配位键 D．共价键
（3）+1价铜形成的配合物溶液能吸收CO和乙烯（CH₂=CH₂），乙烯分子中六个原子在同一平面内，则乙烯分子中C原子的杂化轨道类型为

．
（4）金属铜的晶体类型属于金属晶体，其晶胞结构如右图所示，该晶胞实际拥有

个铜原子．

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（12分） “物质结构与性质”

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为。在四大晶体类型中，GaN属于晶体。

（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有的原子或离子

（3）CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是。

②SO₂分子的空间构型为。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为。

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有。

a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为。

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（9分）㈠如图是钾、氧两元素形成的一种晶体的一个晶胞（晶体中最小的重复单元）。晶体中氧的化合价可看作是部分为0价，部分为－2价。

⑴该结构与     的结构相似(填选项字母，下同)
A．NaCl   B．CsCl   C．干冰   D．SiO₂
⑵钾、氧两元素所形成化合物的化学式是
A．K₂O   B．K₂O₂   C．K₂O₃   D．KO₂
⑶下列对KO₂晶体结构的描述正确的是
A．晶体中与每个K^＋距离最近的K^＋有8个
B．晶体中每个K^＋周围有8个O₂^－，每个O₂^－周围有8个K^＋
C．每个 O₂^－周围最近且等距离的K^＋所围成的空间构型为正八面体
D．晶体中，0价氧原子与－2价氧原子的数目比为3: 1
㈡如右图所示，A为电源，B为浸透饱和食盐水和酚酞试液的滤纸，滤纸中央滴有一滴KMnO₄溶液，C、D为电解池，其电极材料见右图：

⑴关闭K₁，打开K₂，通电后，B的KMnO₄紫红色液滴向c端移动，则电源b端为      极，通电一段时间后，观察到滤纸d端的电极反应式是                   ；
⑵已知C装置中溶液为Cu(NO₃)₂和Y(NO₃)₃，且均为0.1mol，打开K₁，关闭K₂，通电一段时间后，阴极析出固体质量m(g)与通过电子的物质的量n(mol)关系如右图所示。

则Cu²⁺、Y³⁺、H⁺氧化能力由大到小的顺序是                       ；D装置中溶液是H₂SO₄，则电极C端的实验现象是_____                          。