【选做部分】（请从1、2两小题中任选一题作答，若两小题都做，只按1小题计分)

1.[化学—有机化学基础]

下列框图表示A、B、C、D、E、F、G、H、I各物质间的转化关系，已知有机物H分子中含有5个碳原子。有机物I是一种高分子材料。

已知R—CNR—COOH

请回答下列问题：

(1)物质D和I的结构简式为：

D___________________，

I__________________。

(2)指出反应类型：反应④属___________，⑥属___________。

(3)写出下列反应的化学方程式：

反应②_______________________________________________________________。

反应⑦_______________________________________________________________。

(4)写出与H具有相同官能团且只含有一个甲基的同分异构体的结构简式(除H外，请写出任意两种)________________________，________________________。

2.[化学—物质结构与性质]

今有位于元素周期表短周期中的X、Y、Z三种元素。已知：

①三者原子序数之和为25；

②元素Y的原子价电子排布为ns²npⁿ⁺²；

③X和Y在不同条件下可形成X₂Y和X₂Y₂两种固态化合物，Y和Z在不同条件下可形成ZY和ZY₂两种气态化合物；

④元素Z的硫化物与元素Z的氯化物，常温下均为液态，且二者的相对分子质量之比为38∶77。

据此填写下列空白：

(1)写出元素符号：

X____________；Y____________；Z____________。

(2)X₂Y₂属于___________晶体，构成晶体的微粒是________________(填微粒符号)。

(3)Z的硫化物的分子空间构型是_________________________，ZY₂形成的晶体属于______________________晶体，根据原子轨道重叠方式的不同，Z的氯化物分子中含有的共价键种类及数目是__________________________。

已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为______．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为______．
（3）B元素的单质分子中有______个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为______（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______．
（5）EH₃分子的空间构型为______，其沸点与BH₃相比______（填“高”或“低”），原因是______．
（6）向CuSO₄溶液中逐滴加入BH₃的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式______．