21.有A.B.C.D四种短周期元素.它们的核电荷数依次增大.A元素的原子是所有原子中半径最小的.B和D元素原子的最外层电子数相同.且B元素原子L层电子数是K层电子数的3倍.C的单质是良好的半导体材料.其氧化物是高性能通讯材料的主要原料.试推断这四种元素并完成下列各题: (1)D的原子结构示意图为 . (2)工业上制备单质C的化学方程式为 . (3)B和D的元素对应的氢化物沸点高的是 .原因是 . (4)A和B可形成原子的个数比为1:1的化合物W.W的电子式为 .实验室用W制备一种气体的化学方程为 .在一定条件下W能同强碱作用生成正盐或酸式盐.写出W与Ba(OH)2反应生成正盐的化学方程式 . 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(10分)有A、B、C、D四种短周期元素,它们的核电荷数依次增大,A与C、B与D分别是同主族元素,B、D两元素的质子数之和是A、C两元素质子数之和的两倍,这四种元素中有一种元素的单质易溶于CS2中。

试回答下列问题:

(1)B的名称是________,画出它的简单离子的结构示意图________.

(2)由A、B、C所形成化合物的电子式为________它是由________键和________键组成的________化合物.

(3)由A、B、C、D四种元素组成的化合物的化学式为________、________;写出这两种物质间相互反应的离子方程式________.

 

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(10分)有A、B、C、D四种短周期元素,它们的核电荷数依次增大,A与C、B与D分别是同主族元素,B、D两元素的质子数之和是A、C两元素质子数之和的两倍,这四种元素中有一种元素的单质易溶于CS2中。

试回答下列问题:

(1)B的名称是________,画出它的简单离子的结构示意图________.

(2)由A、B、C所形成化合物的电子式为________它是由________键和________键组成的________化合物.

(3)由A、B、C、D四种元素组成的化合物的化学式为________、________;写出这两种物质间相互反应的离子方程式________.

 

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(10分)有A、B、C、D四种短周期元素,它们的核电荷数依次增大,A与C、B与D分别是同主族元素,B、D两元素的质子数之和是A、C两元素质子数之和的两倍,这四种元素中有一种元素的单质易溶于CS2中。
试回答下列问题:
(1)B的名称是________,画出它的简单离子的结构示意图________.
(2)由A、B、C所形成化合物的电子式为________它是由________键和________键组成的________化合物.
(3)由A、B、C、D四种元素组成的化合物的化学式为________、________;写出这两种物质间相互反应的离子方程式________.

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(10分)有A、B、C、D四种短周期元素,它们的核电荷数依次增大,A与C、B与D分别是同主族元素,B、D两元素的质子数之和是A、C两元素质子数之和的两倍,这四种元素中有一种元素的单质易溶于CS2中。

试回答下列问题:

(1)B的名称是________,画出它的简单离子的结构示意图________.

(2)由A、B、C所形成化合物的电子式为________它是由________键和________键组成的________化合物.

(3)由A、B、C、D四种元素组成的化合物的化学式为________、________;写出这两种物质间相互反应的离子方程式________.

 

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(10分)有A、B、C、D四种短周期元素,它们的核电荷数依次增大,A与C、B与D分别是同主族元素,B、D两元素的质子数之和是A、C两元素质子数之和的两倍,这四种元素中有一种元素的单质易溶于CS2中。

试回答下列问题:

(1)B的名称是________,画出它的简单离子的结构示意图________.

(2)由A、B、C所形成化合物的电子式为________它是由________键和________键组成的________化合物.

(3)由A、B、C、D四种元素组成的化合物的化学式为________、________;写出这两种物质间相互反应的离子方程式________.

 

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