将等式变形.应得 ( ) A. B. C. D. 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

如图,在Rt△ABC中,∠ACB=90°,AC=6,BC=12,D、E分别为边AB、AC的中点,连结DE,点P从点A出发,沿折线AE-ED-DB运动,到点B停止.点P在折线AE-ED上以每秒1个单位的速度运动,在DB上以每秒个单位的速度运动. 过点P作PQ⊥BC于点Q,以PQ为边在PQ右侧作正方形PQMN,使点M落在线段BC上.设点P的运动时间为秒().

(1)在整个运动过程中,求正方形PQMN的顶点N落在AB边上时对应的的值;
(2)连结BE,设正方形PQMN与△BED重叠部分图形的面积为S,请直接写出S与之间的函数关系式和相应的自变量的取值范围;
(3)当正方形PQMN顶点P运动到与点E重合时,将正方形PQMN绕点Q逆时针旋转60°得正方形
P1 Q M1 N1,问在直线DE与直线AC上是否存在点G和点H,使△GHP1是等腰直角三角形? 若
存在,请求出EG的值;若不存在,请说明理由.

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如图,在Rt△ABC中,∠ACB=90°,AC=6,BC=12,D、E分别为边AB、AC的中点,连结DE,点P从点A出发,沿折线AE-ED-DB运动,到点B停止.点P在折线AE-ED上以每秒1个单位的速度运动,在DB上以每秒个单位的速度运动. 过点P作PQ⊥BC于点Q,以PQ为边在PQ右侧作正方形PQMN,使点M落在线段BC上.设点P的运动时间为秒().

(1)在整个运动过程中,求正方形PQMN的顶点N落在AB边上时对应的的值;

(2)连结BE,设正方形PQMN与△BED重叠部分图形的面积为S,请直接写出S与之间的函数关系式和相应的自变量的取值范围;

(3)当正方形PQMN顶点P运动到与点E重合时,将正方形PQMN绕点Q逆时针旋转60°得正方形

P1 Q M1 N1,问在直线DE与直线AC上是否存在点G和点H,使△GHP1是等腰直角三角形? 若

存在,请求出EG的值;若不存在,请说明理由.

 

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如图,在Rt△ABC中,∠ACB=90°,AC=6,BC=12,D、E分别为边AB、AC的中点,连结DE,点P从点A出发,沿折线AE-ED-DB运动,到点B停止.点P在折线AE-ED上以每秒1个单位的速度运动,在DB上以每秒个单位的速度运动. 过点PPQBC于点Q, 以PQ为边在PQ右侧作正方形PQMN, 使点M落在线段BC上.设点P的运动时间为秒().

(1)在整个运动过程中,求正方形PQMN的顶点N落在AB边上时对应的的值;

(2)连BE,设正方形PQMN与△BED重叠部分图形的面积为S,请直接写出S之间的函数关系式和相应的自变量的取值范围;

(3)当正方形PQMN顶点P运动到与点E重合时,将正方形PQMN绕点Q逆时针旋转60°得正方形

P1 Q M1 N1,问在直线DE与直线AC上是否存在点G和点H,使△GHP1是等腰直角三角形? 若

存在,请求出EG的值;若不存在,请说明理由.

备用图

 
 


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如图,在Rt△ABC中,∠ACB=90°,AC=6,BC=12,D、E分别为边AB、AC的中点,连结DE,点P从点A出发,沿折线AE-ED-DB运动,到点B停止.点P在折线AE-ED上以每秒1个单位的速度运动,在DB上以每秒个单位的速度运动. 过点P作PQ⊥BC于点Q,以PQ为边在PQ右侧作正方形PQMN,使点M落在线段BC上.设点P的运动时间为秒().

(1)在整个运动过程中,求正方形PQMN的顶点N落在AB边上时对应的的值;
(2)连结BE,设正方形PQMN与△BED重叠部分图形的面积为S,请直接写出S与之间的函数关系式和相应的自变量的取值范围;
(3)当正方形PQMN顶点P运动到与点E重合时,将正方形PQMN绕点Q逆时针旋转60°得正方形
P1 Q M1 N1,问在直线DE与直线AC上是否存在点G和点H,使△GHP1是等腰直角三角形? 若
存在,请求出EG的值;若不存在,请说明理由.

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砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转变为光能,砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措,已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

(1)下列说法正确的是     ▲       (选填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同   B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga               D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到, 该反应在700℃进行,反应的方程式为:          ▲           
AsH3空间形状为:     ▲      (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为:     ▲     
(3)Ga的核外电子排布式为:      ▲       
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是:        ▲       

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