如图甲中abcd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好且PQ与 bc平行，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间变化的图像如图乙，PQ始终静止，在0—t₀s内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是（     ）

A．f一直增大    B．f一直减小    C．f先减小后增大      D．f先增大后减小

 如图甲中abcd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好且PQ与 bc平行，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间变化的图像如图乙，PQ始终静止，在0—t₀s内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是（    ）

A．f一直增大    B．f一直减小    C．f先减小后增大      D．f先增大后减小

 如图甲中abcd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好且PQ与 bc平行，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间变化的图像如图乙，PQ始终静止，在0—t₀s内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是（     ）

A．f一直增大    B．f一直减小    C．f先减小后增大      D．f先增大后减小