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    9．关于磁感应强度B＝F/IL和磁通量Φ＝BS.下列说法正确的是: A．磁场某处的磁感应强度B与磁场力F成正比.与电流I及长度L的乘积成反比 B．磁感应强度B的方向与电流的受力F方向相同.与小磁针S极的受力方向相反 C．穿过某面积的磁通量为零.是因为该处的磁感应强度B为零 D．即使某面积S和所在处的磁感应强度B均不为零.磁通量Φ也可能为零 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    关于磁感应强度B，下列说法中正确的是(　　)．

    A．根据磁感应强度定义B＝，磁场中某点的磁感应强度B与F成正比，与I成反比

    B．磁感应强度B是标量，没有方向

    C．磁感应强度B是矢量，方向与F的方向相反

    D．在确定的磁场中，同一点的磁感应强度B是确定的，不同点的磁感应强度B可能不同，磁感线密的地方磁感应强度B大些，磁感线疏的地方磁感应强度B小些

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA，内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

     

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感

    应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
    提供的器材如下：

    A.磁敏电阻，无磁场时阻值
    B.滑动变阻器R，全电阻约
    C.电流表，量程2.5mA,内阻约
    D.电压表，量程3V，内阻约3k
    E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
    F.开关S，导线若干
    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

     
    		1
    		2
    		3
    		4
    		5
    		6
    U（V）
    		0.00
    		0.45
    		0.91
    		1.50
    		1.79
    		2.71
    I（mA）
    		0.00
    		0.30
    		0.60
    		1.00
    		1.20
    		1.80
    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=         ，结合图1可知待测磁场的磁感
    应强度B＝          T。
    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA,内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    （12分）2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。
    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：
         A.磁敏电阻，无磁场时阻值
         B.滑动变阻器R，全电阻约
         C.电流表，量程2.5mA,内阻约
         D.电压表，量程3V，内阻约3k
         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
         F.开关S，导线若干
    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：
     
    		1
    		2
    		3
    		4
    		5
    		6
    U（V）
    		0.00
    		0.45
    		0.91
    		1.50
    		1.79
    		2.71
    I（mA）
    		0.00
    		0.30
    		0.60
    		1.00
    		1.20
    		1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
     

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