6．如图甲所示.ab.cd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的总电阻为R.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中.磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙——青夏教育精英家教网—

6．如图甲所示.ab.cd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的总电阻为R.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中.磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示.而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0-t内的变化情况的说法中.有可能正确的是 A．一直增大 B．一直减小 C．先减小.后增大 D．先增大.后减小【查看更多】

如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁场的磁感应强度变化如图乙所示，PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间的摩擦力F_f在0到t₁（s）内的变化情况的说法中，可能正确的是（）

A.F_f一直增大 B.F_f一直减小

C.F_f先减小后增大 D.F_f先增大后减小

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如图甲所示，bacd为用导体做成的框架，其平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在0~t2 s内（t=0时刻，安培力大于mgsin），对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是

A.F先减小后增大，且在t1时刻为零

B.F先减小后增大，且在t1时刻F=mgsin

C.F先增大后减小，且在时刻为最大值

D.F先增大后减小，且在t1时刻F=mgsin

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如图甲所示，用裸导体做成U形框架abcd、ad与bc相距L=0.2m，其平面与水平面成θ=30°角．质量为m=1kg的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R=1Ω．整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B随时间t的变化情况如图乙所示（设图甲中B的方向为正方向）．t=0时，B₀=10T、导体棒PQ与cd距离x₀=0.5m．若PQ始终静止，关于PQ与框架间的摩擦力大小在0～t₁=0.2s时间内的变化情况，g取10m/s²，下面判断正确的是（　　）