（2012?佛山一模）实验题
（1）某同学用如图1所示的装置来研究自由落体运动．
①下列有关操作的叙述正确的是
A．安装打点计时器时要注意让上下限位孔在同一竖直线上
B．将打点计时器与直流低压电源连接
C．释放纸带时应尽量让重物靠近打点计时器
D．应先释放纸带，然后接通电源
②实验得到一条纸带，测得各点之间的距离如图3示．已知电源频率为50Hz，则纸带中相邻两点间的时间间隔是s．从该纸带可知，重物是做（选填“匀速”、“匀变速”、“非匀变速”）运动，加速度大小a=m/s²（保留三位有效数字）．
（2）某同学测定一根金属丝的电阻率．
①用螺旋测微器测量金属丝的直径如图2示，则该金属丝的直径为mm．
②先用多用电表粗测其电阻．将选择开关调到欧姆挡“×10”档位并调零，测量时发现指针向右偏转角度太大，这时他应该：
a．将选择开关换成欧姆挡的“”档位（选填“×100”或“×1”）
b．将红、黑表笔短接，调节调零旋钮，使欧姆表指针指在处．
再次测量电阻丝的阻值，其表盘及指针所指位置如图4所示，则此段电阻丝的电阻为Ω．
③现要进一步精确测量其阻值，实验室提供了以下各种器材，4V的直流电源、3V量程的直流电压表、电键、导线等．还有电流表与滑动变阻器各两个以供选用：
A．电流表A₁（量程0.3A，内阻约1Ω） B．电流表A₂（量程0.6A，内阻约0.3Ω）
C．滑动变阻器R₁（最大阻值为10Ω）   D．滑动变阻器R₂（最大阻值为50Ω）
为了尽可能提高测量准确度且要求电压调节范围尽量大．电流表应选，滑动变阻器应选（填器材前面的字母）请在图5中补齐连线以完成本实验．

（2011?椒江区模拟）某同学利用教材提供的方案进行“探究加速度与力、质量的关系”实验，如图是该同学正要接通电源进行实验时的装置情况．
（1）该安装存在多处明显不当，请逐一指出如何改正这些不当之处：
（a）；
（b）；
（c）；
（2）该同学调整好装置后重新实验，电源频率f=50Hz，在其中一条纸带的点中，选出零点，每隔4个点取1个计数点，因保存不当，纸带被污染，如图所示，A、B、C、D是依次排列的4个计数点，仅能读出其中3个计数点到零点的距离：S_A=16.6mm、S_B=126.5mm、S_D=624.5mm．若无法再做实验，可由以上信息推知：
（a）用于计算相邻两计数点的时间间隔的表达式t=；
（b）用于计算打C点时物体速度大小的表达式v=；
（c）用于计算物体加速度大小的表达式a=．

一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应．如图某薄片中通以向右的电流I，薄片中的自由电荷电子受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场E_H，同时产生霍尔电势差U_H．当电荷所受的电场力和洛伦兹力处处相等时，E_H和U_H达到稳定值，U_H的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH

IB

d

，其中比例系数R_H称为霍尔系数，仅与材料性质有关．
（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出U_H和E_H的关系式；并判断图1中c、f哪端的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数R_H的表达式（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）；
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的半径为R，周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反．霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近，如图所示．当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉动信号图象如图3所示．若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘边缘线速度的表达式．

如图，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应．其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场E_H，同时产生霍尔电势差U_H．当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，E_H和U_H达到稳定值，U_H的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式U_N=R_H

IB

d

，其中比例系数R_H称为霍尔系数，仅与材料性质有关
（1）若半导体材料是自由电子导电的，请判断图1中端（填c或f）的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的自由电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数R_H的表达式．（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率．