
Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子结构示意图
.
(2)Ga的原子核外电子排布式为:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.
(3)GaCl
3和AsF
3的空间构型分别是:GaCl
3平面三角形
平面三角形
,AsF
3三角锥形
三角锥形
.
(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于
原子
原子
晶体,并写出其主要的物理性质
硬度大、熔点高
硬度大、熔点高
(任2种).
(5)第一电离能:As
>
>
Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是
4
4
.
(7)二氧化硒分子的空间构型为
V形
V形
,写出它的1个等电子体的分子式
O3(或SO2)
O3(或SO2)
.