在穿过N的过程中线框中产生的电动势E=2BLv1 线框中产生的电流I=E/R=2BLv1/R 线框受到的安培力F=2BIL=4B2L2v1/R 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

一边长为L的正方形闭合金属导线框,其质量为m,回路电阻为R,图中M、N、P为磁场区域的边界,且均为水平,上下两部分磁场的磁感应强度均为B,方向如图所示. 图示位置线框的底边与M重合.现让线框由图示位置由静止开始下落,线框在穿过N和P两界面的过程中均为匀速运动.若已知M、N之间的高度差为h1,h1>L,线框下落过程中线框平面始终保持竖直,底边始终保持水平,重力加速度为g.求:
(1)N与P之间的高度差h2
(2)在整个运动过程中,线框中产生的焦耳热.

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如图所示,放在倾角为30°的固定斜面上的正方形导线框abcd与重物之间用足够长的细线跨过光滑的轻质定滑轮连接,线框的边长为L、质量为m、电阻为R,重物的质量为m。现将线框沿bc方向抛出,穿过宽度为D、磁感应强度为B的匀强磁场,磁场的方向垂直斜面向上.线框向下离开磁场时的速度刚好是进人磁场时速度的n大于1),线框离开磁场后继续下滑一段距离,然后上滑并匀速进人磁场.线框与斜面间的动摩擦因数为,不计空气阻力,整个运动过程中线框始终与斜面平行且不发生转动,斜细线与bc边平行,cd边磁场边界平行.求:
⑴线框在上滑阶段匀速进人磁场时的速度υ2大小;
⑵线框在下滑阶段刚离开磁场时的速度υ1大小;
⑶线框在下滑阶段通过磁场过程中产生的焦耳热Q


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精英家教网如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M'N'是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v-t图象.已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图象中坐标轴上所标出的v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量(下落过程中线框abcd始终在竖直平面内,且bc边始终水平).根据题中所给条件,以下说法正确的是(  )
A、可以求出金属线框的边长B、线框穿出磁场时间(t4-t3)等于进入磁场时间(t2-t1C、线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同D、线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳热相等

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如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,并在线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直。现金属线框内距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v – t 图像。已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图像中坐标轴上所标出的字线v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量。(下落过程中bc边始终水平)根据题中所给条件,以下说法正确的是      (    )

    A.可以求出金属框的边长

    B.线框穿出磁场时间(t1—t3)等于进入磁场时间(t2—t1)

    C.线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同

    D.线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳相等

 

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如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,金属线框的质量为m,电阻为R。在金属线框的下方有一匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直。现金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域瞬间的速度-时间图象,图象中坐标轴上所标出的字母均为已知量。可知

A.金属框初始位置的bc边到边界MN的高度为v1t1
B.金属框的边长为
C.磁场的磁感应强度为
D.在进入磁场过程中金属框产生的热为mgv1(t2-t1

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