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下列说法中正确的是(  )
A.根据磁感应强度B的定义式B=
F
IL
可知,磁感应强度B与F成正比,与IL成反比
B.一小段通电导线在某处不受磁场力作用,该处的磁感应强度一定为零
C.穿过一个单匝线圈的磁通量始终保持每秒钟均匀地减少了2Wb,则线圈中感应电动势每秒减少2V
D.感应电流的磁场总是阻碍原磁通量的变化
相关习题

科目:高中物理 来源:2011-2012学年高二(上)期中物理模拟试卷(3)(解析版) 题型:选择题

下列说法中正确的是( )
A.根据磁感应强度B的定义式可知,磁感应强度B与F成正比,与IL成反比
B.一小段通电导线在某处不受磁场力作用,该处的磁感应强度一定为零
C.穿过一个单匝线圈的磁通量始终保持每秒钟均匀地减少了2Wb,则线圈中感应电动势每秒减少2V
D.感应电流的磁场总是阻碍原磁通量的变化

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科目:高中物理 来源: 题型:

下列说法中正确的是       (    )

      A.根据磁感应强度B的定义式B=F/IL可知,磁感应强度B与F成正比,与IL成反比

      B.一小段通电导线在某处不受磁场力作用,该处的磁感应强度一定为零

      C.穿过一个单匝线圈的磁通量始终保持每秒钟均匀地减少了2Wb,则线圈中感应电动势每秒减少2V

      D.感应电流的磁场总是阻碍原磁通量的变化

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科目:高中物理 来源:2014届天津市高二下学期期中考试物理试卷(解析版) 题型:选择题

下列说法中正确的是(      )

A.根据可知,磁场中某处的磁感应强度B与通电导线所受的磁场力F成正比

B.根据F=BIL可知,在磁场中某处放置的电流越大,则受到的安培力一定越大

C.根据Ф=BS可知,闭合回路的面积越大,穿过该线圈的磁通量一定越大

D.根据可知,线圈中磁通量变化越快,线圈中产生的感应电动势一定越大

 

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

下列说法中正确的是(     )

A.根据可知,磁场中某处的磁感应强度B与通电导线所受的磁场力F成正比
B.根据F=BIL可知,在磁场中某处放置的电流越大,则受到的安培力一定越大
C.根据Ф=BS可知,闭合回路的面积越大,穿过该线圈的磁通量一定越大
D.根据可知,线圈中磁通量变化越快,线圈中产生的感应电动势一定越大

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年辽宁省沈阳市四校联考高二(上)期中物理试卷(解析版) 题型:选择题

下列说法中正确的是( )
A.根据可知,磁场中某处的磁感强度大小与通电导线所受的磁场力F成正比,与电流强度I和导线长度L的乘积成反比
B.根据F=BIL可知,在磁场中某处放置的电流越大,则受到的安培力一定越大
C.根据Ф=BS可知,闭合回路的面积越大,穿过该线圈的磁通量一定越大
D.根据B=可知,匀强磁场磁感应强度的大小等于垂直穿过单位面积的磁感线条数

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科目:高中物理 来源: 题型:

下列说法中正确的是(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

下列说法中正确的是(  )

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

下列说法中正确的是(  )
A.根据B=
F
IL
可知,磁场中某处的磁感强度大小与通电导线所受的磁场力F成正比,与电流强度I和导线长度L的乘积成反比
B.根据F=BIL可知,在磁场中某处放置的电流越大,则受到的安培力一定越大
C.根据Ф=BS可知,闭合回路的面积越大,穿过该线圈的磁通量一定越大
D.根据B=
Φ
S
可知,匀强磁场磁感应强度的大小等于垂直穿过单位面积的磁感线条数

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

下列说法中正确的是(  )
A.根据磁感应强度B的定义式B=
F
IL
可知,磁感应强度B与F成正比,与IL成反比
B.一小段通电导线在某处不受磁场力作用,该处的磁感应强度一定为零
C.穿过一个单匝线圈的磁通量始终保持每秒钟均匀地减少了2Wb,则线圈中感应电动势每秒减少2V
D.感应电流的磁场总是阻碍原磁通量的变化

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

下列说法中正确的是(  )
A.洛仑兹力不会改变运动电荷的速度
B.磁场中某处的磁感应强度的方向跟电流在该处受磁场力F的方向相同
C.根据公式U=Ed,在一条直的电场线上有A、B、C三点,若AB=2BC,则电势差一定是UAB=2UBC
D.负电荷受到的电场力方向总是和该点的电场强度方向相反

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