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如图2,一质量为m的条形磁铁用细线悬挂在天花板上,细线从一水平金属环中穿过。现将环从位置Ⅰ释放,环经过磁铁到达位置Ⅱ。设环经过磁铁上端和下端附近时细线的张力分别为T1T2,重力加速度大小为g,则(  )

图2

A.T1>mgT2>mg

B.T1<mgT2<mg

C.T1>mgT2<mg

D.T1<mgT2>mg

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如图1所示,一条形磁铁从左向右匀速穿过线圈,当磁铁经过AB两位置时,线圈中(  )

图1

A.感应电流方向相同,感应电流所受作用力的方向相同

B.感应电流方向相反,感应电流所受作用力的方向相反

C.感应电流方向相反,感应电流所受作用力的方向相同

D.感应电流方向相同,感应电流所受作用力的方向相反

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如图14所示,第四象限内有互相正交的匀强电场E与匀强磁场B1E的大小为1.5×103 V/m,B1大小为0.5 T;第一象限的某个矩形区域内,有方向垂直纸面的匀强磁场,磁场的下边界与x轴重合。一质量m=1×1014 kg,电荷量q=2×1010 C的带正电微粒以某一速度v沿与y轴正方向或60°角的M点射入,沿直线运动,经P点后即进入处于第一象限内的磁场B2区域。一段时间后,微粒经过y轴上的N点并沿与y轴正方向成60°角的方向飞出。M点的坐标为(0,-10),N点的坐标为(0,30),不计微粒重力,g取10 m/s2。则求:

图14

(1)微粒运动速度v的大小;

(2)匀强磁场B2的大小;

(3)B2磁场区域的最小面积。

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如图13所示,一个板长为L,板间距离也是L的平行板电容器上极板带正电,下极板带负电,在极板右边的空间里存在着垂直于纸面向里的匀强磁场。有一质量为m,重力不计,带电量为-q的粒子从极板正中间以初速度为v0水平射入,恰能从上极板边缘飞出又能从下极板边缘飞入,求:

图13

(1)两极板间匀强电场的电场强度E的大小和方向;

(2)-q粒子飞出极板时的速度v的大小与方向;

(3)磁感应强度B的大小。

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在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的磷离子P和P3,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域,如图12所示。已知离子P在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时,离子P和P3(  )

图12

A.在电场中的加速度之比为1∶1

B.在磁场中运动的半径之比为 ∶1

C.在磁场中转过的角度之比为1∶2

D.离开电场区域时的动能之比为1∶3

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如图10所示为一个质量为m、电荷量为+q的圆环,可在水平放置的足够长的粗糙细杆上滑动,细杆处于磁感应强度为B的匀强磁场中,不计空气阻力,现给圆环向右的初速度v0,在以后的运动过程中,圆环运动的速度图像可能是图11中的(  )

图10

图11

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如图9所示,两平行、正对金属板水平放置,使上面金属板带上一定量正电荷,下面金属板带上等量的负电荷,再在它们之间加上垂直纸面向里的匀强磁场,一个带电粒子以初速度v0沿垂直于电场和磁场的方向从两金属板左端中央射入后向上偏转。若带电粒子所受重力可忽略不计,仍按上述方式将带电粒子射入两板间,为使其向下偏转,下列措施中可能可行的是(  )

图9

A.仅增大带电粒子射入时的速度

B.仅增大两金属板所带的电荷量

C.仅减小粒子所带电荷量

D.仅改变粒子的电性

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物体导电是由其中的自由电荷定向移动引起的,这些可以移动的自由电荷又叫载流子。金属导体的载流子是自由电子,现代广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是N型半导体,它的载流子为电子;另一类是P型半导体,它的载流子为“空穴”,相当于带正电的粒子,如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图8所示,且与前后侧面垂直,长方体中通有方向水平向右的电流,设长方体的上下表面MN的电势分别为φMφN,则下列判断中正确的是(  )

图8

A.如果是P型半导体,有φM>φN

B.如果是N型半导体,有φM<φN

C.如果是P型半导体,有φM<φN

D.如果是金属导体,有φM>φN

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如图7所示,在x轴上方存在垂直纸面向里的磁感应强度为B的匀强磁场,x轴下方存在垂直纸面向外的磁感应强度为的匀强磁场。一带负电的粒子从原点O以与x轴成30°角斜向上射入磁场,且在上方运动半径为R。不计重力,则(  )

图7

A.粒子经偏转一定能回到原点O

B.粒子在x轴上方和下方两磁场中运动的半径之比为2∶1

C.粒子完成一次周期性运动的时间为

D.粒子第二次射入x轴上方磁场时,沿x轴前进3R

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如图6所示的虚线区域内,充满垂直于纸面向里的匀强磁场和竖直向下的匀强电场。一带电粒子a(不计重力)以一定的初速度由左边界的O点射入磁场、电场区域,恰好沿直线由区域右边界的O′点(图中未标出)穿出。若撤去该区域内的磁场而保留电场不变,另一个同样的粒子b(不计重力)仍以相同初速度由O点射入,从区域右边界穿出,则粒子b(  )

图6

A.穿出位置一定在O′点下方

B.穿出位置一定在O′点上方

C.运动时,在电场中的电势能一定减小

D.在电场中运动时,动能一定减小

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同步练习册答案