在如图所示电路中，电源电动势为E，内阻为r，当变阻器R3的滑动头P向b端移动时，下列判断正确的是（ ）

A．电压表示数变大 B．电流表示数变大

C．流过电阻R1的电流不变 D．电阻R2的功率变大

如图所示的理想变压器供电的电路中，若将S闭合，则电流表A1的示数，电流表A2的示数，电流表A3的示数，电压表V的示数分别如何变化（ ）

A．不变 变大 变大 不变 B．变大 变小 变大 不变

C．变小 变大 变小 不变 D．不变 变大 变大 变小

一小水电站，输出的电功率为P=20KW，输出电压U0=400V，经理想升压变压器Τ1变为2000V电压远距离输送，输电线总电阻为r=10Ω，最后经理想降压变压器Τ2降为220V向用户供电。下列说法正确的是（ ）

A．变压器的匝数比

B．输电线上的电流为

C．输电线上损失的电功率为

D．变压器的匝数比

要测绘一个标有“3V 0.6W”小灯泡的伏安特性曲线，灯泡两端的电压需要由零逐渐增大到3V，并便于操作。已选用的器材有：

电池组（电动势4.5V，内阻约1Ω）；

电流表（量程为0～250mA，内阻约5Ω）；

电压表（量程为0～3V，内阻约3kΩ）；

电键一个、导线若干。

（1）实验中所用的滑动变阻器应选__（填字母代号）。

A．滑动变阻器（最大阻值20Ω，额定电流1A）

B．滑动变阻器（最大阻值1750Ω，额定电流0.3A）

（2）实验得到的小灯泡的伏安特性曲线如图甲所示。现将一个这样的小灯泡与一个4Ω的定值电阻R串联，接在电动势为1.5V，内阻为1Ω的电源两端，如图乙所示。小灯泡消耗的功率是________W。

（1）小方同学想测出某种材料的电阻率，由于不知其大约阻值，他只好用多用电表先粗测该材料一段样品的电阻。经正确操作后，选“×100?”挡时发现指针偏转情况如图甲所示，由图可知，其阻值约为 ?（只填数量级）。由于指针太偏左，他应该换用 挡（填“×10?”或“×1k”），换挡后，在测量前先要______________。

（2）要测出上述样品的电阻率，必须精确测出其电阻的阻值。除导线和开关外，实验室还备有以下器材可供选用：

电流表A1，量程1A，内阻r1约0.5Ω

电压表V1，量程6V，内阻RV1等于20kΩ

电压表V2，量程10V，内阻RV2约30kΩ

滑动变阻器R1，0～2000Ω，额定电流0.1A

滑动变阻器R2，0～20Ω，额定电流2A

电源E（电动势为12 V，内阻r约2Ω）

①请选择合适的器材，设计出便于精确测量的电路图画在方框中。其中滑动变阻器应选 。

② 用螺旋测微器测得该材料直径d的读数如图，则d= mm

如图，在平面直角坐标系xOy内，第Ⅰ象限存在沿y轴负方向的匀强电场，第Ⅳ象限以ON为直径的半圆形区域内，存在垂直于坐标平面向外的匀强磁场，磁感应强度为B。一质量为m、电荷量为q的带正电的粒子，从y轴正半轴上的M点，以速度v0垂直于y轴射入电场，经x轴上的P点时的速度方向与x轴的方向夹角为进入磁场，最后以垂直于y轴的方向射出磁场。不计粒子重力。

（1）画出粒子运动轨迹，标出粒子在磁场中运动的轨道半径和圆心，不用计算.

（2）总结相关规律：分析17、18两个题总结带电粒子在磁场中做圆周运动，如何用作图法找到圆心（至少写出一个方法）.

如图所示，质量为m=1kg的小滑块，从光滑、固定的圆弧轨道的最高点A由静止滑下，经最低点B后滑到位于水平面的木板上。已知木板质量M=2kg，其上表面与圆弧轨道相切于B点，且长度足够长。整个过程中木板的v—t图像如图所示，g=l0,求：

（1）滑块经过B点时对圆弧轨道的压力．

（2）滑块与木板之间的动摩擦因数．

如图所示，六个点电荷分布在边长为的正六边形ABCDEF的六个顶点处，在B.F处电荷的电荷量为，其余各处电荷的电荷量均为，MN为正六边形的一条中线，则下列说法正确的是（ ）

A.M、N两点电场强度相同

B.M、N两点电势相等

C.在中心O处，电场强度大小为，方向由O指向A

D.沿直线从M到N移动正电荷，电势能先减小后增大

图甲所示为验证法拉第电磁感应定律的实验装置，与电源连接的线圈Ⅰ中的电流按图乙所示的规律变化，电流在线圈Ⅰ的内部产生变化的磁场，该磁场磁感应强度B与线圈中电流的关系为（其中为常数）。线圈Ⅱ与电流传感器连接，并通过计算机绘制出线圈Ⅱ中感应电流随时间变化的图象，若仅将变化的频率适当增大，则能正确反映图象变化的是（图中以实线和虚线分别表示调整前、后的图象）（ ）

霍尔元件可以用来检测磁场及其变化。图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产生磁场的装置示意图，由于磁芯的作用，霍尔元件所处区域磁场可看做匀强磁场。测量原理如乙图所示，直导线通有垂直纸面向里的电流，霍尔元件前、后、左、右表面有四个接线柱，通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路。所用器材已在图中给出，部分电路已经连接好。为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B；

（1）制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流入，右侧流出，霍尔元件 （填“前表面”或“后表面”）电势高；

（2）在图中画线连接成实验电路图；

（3）已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为，每个自由电荷的电荷量为，霍尔元件的厚度为，为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度，还必须测量的物理量有 （写出具体的物理量名称及其符号），计算式 。