天然放射现象中可产生α、β、γ三种射线．下列说法正确的是（ ）

A．β射线是由原子核外电子电离产生的

B．经过一次α衰变，变为

C．α射线的穿透能力比γ射线穿透能力强

D．放射性元素的半衰期随温度升高而减小

关于下面四个装置说法正确的是（ ）

A．

实验可以说明α粒子的贯穿本领很强

B．

实验现象可以用爱因斯坦的质能方程解释

C．

是利用α射线来监控金属板厚度的变化

D．

进行的是聚变反应

如图甲所示，两根电阻忽略不计的导轨平行放置，导轨左端接电阻R1，右端接小灯泡L，导体棒AB垂直于导轨放置，电阻R1、导体棒AB和小灯泡L的电阻均为R（不计灯泡电阻随温度的变化），虚线MN右侧有垂直导轨平面的磁场，当导体棒AB从MN左侧某处匀速向右运动时开始计时，磁感应强度随时间变化如图乙所示，若导体棒AB从开始运动到穿越磁场的过程中，灯泡的亮度始终不变，则导体棒AB在穿越磁场前后电阻R1上消耗的功率之比是（ ）

A．1∶1 B．1∶2 C．1∶3 D．1∶4

如图所示，孤立点电荷+Q固定在正方体的一个顶点上，与+Q相邻的三个顶点分别是A、B、C，下列说法正确的是（ ）

A. A、B、C三点的场强相同

B. A、B、C三点的电势相等

C. A、B、C三点所在的平面为一等势面

D. 将一电荷量为+q的检验电荷由A点沿直线移动到B点的过程中电势能始终保持不变

低频电涡流传感器可用来测量自动化生产线上金属板的厚度．如图，在线圈L1中通以低频交流电，它周围会产生交变磁场，其正下方有一个与电表连接的线圈L2，金属板置于L1、L2之间．当线圈L1产生的变化磁场透过金属板，L2中会产生感应电流．由于金属板厚度不同，吸收电磁能量强弱不同，导致L2中感应电流的强弱不同，则（ ）

A．金属板吸收电磁能量，是由于穿过金属板的磁场发生变化，板中产生涡流

B．金属板越厚，涡流越弱

C．L2中产生的是直流电

D．L2中产生的是与L1中同频率的交流电

闭合回路由电阻R与单匝导线框组成，其面积大小为S，内部磁场大小按B-t图变化，方向如图，且B-t图线的斜率为K，则回路中

A．感应电流的方向为顺时针方向

B．感应电流的电流强度越来越大

C．磁通量的变化率越来越大

D．产生的感应电动势大小为KS

如图所示，n=10匝的矩形闭合线圈ABCD在匀强磁场中绕垂直于磁场方向OO＇轴匀速转动。转轴OO＇过AC边和BD边的中点。若从图示位置开始计时，穿过线圈的磁通量Φ随时间t的变化关系可以表示为Φ=0．1cos（10πt）（Wb），时间t的单位为s。已知矩形线圈的电阻为10Ω （ 取π=3．14，π2=9．86 ），则下列说法中正确的是

A．在任意l s时间内，线圈克服安培力所做的功为49．3J

B．任意1s时间内，线圈中电流方向改变20次

C．电流的有效值为3．14A

D．穿过线圈磁通量的最大值为0．1Wb

如图所示，宽度为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面，一质量为m的椭圆形导体框平放在桌面上，椭圆的长轴平行磁场边界，短轴小于d。现给导体框一个初速度v0（v0垂直磁场边界），已知导体框全部在磁场中的速度为v，导体框全部出磁场后的速度为v1；导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1，导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为Q2。下列说法正确的是

A．导体框离开磁场过程中，感应电流的方向为顺时针方向

B．导体框进出磁场都是做匀变速直线运动

C．Q1 > Q2

D．Q1 + Q2=m（v02-v12）

如图所示，边长为L的正方形导线框质量为m，由距磁场H高处自由下落，其下边ab进入匀强磁场后，线圈开始做减速运动，直到其上边dc刚刚穿出磁场时，速度减为ab边刚进入磁场时的一半，磁场的宽度也为L，则线框穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热为(　　)

A. 2mgL B. 2mgL＋mgH

C. 2mgL＋mgH D. 2mgL＋mgH

一个共有10匝的闭合矩形线圈，总电阻为10Ω、面积为0．04m2，置于水平面上。若线框内的磁感强度在0．02s内，由垂直纸面向里，从1．6T均匀减少到零，再反向均匀增加到2．4T。则在此时间内，求线圈内导线中的感应电流大小。