科目: 来源: 题型:解答题
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科目: 来源: 题型:多选题
| A. | 1.2m/s | B. | 0.8m/s | C. | 0.6m/s | D. | 0.4m/s |
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科目: 来源: 题型:选择题
| A. | 4:5 4:5 | B. | 5:4 4:5 | C. | 5:4 5:4 | D. | 4:5 5:4 |
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科目: 来源: 题型:选择题
| A. | 0V | B. | 1V | C. | 2V | D. | 3V |
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科目: 来源: 题型:选择题
| A. | 半导体样品的上表面电势高于下表面电势 | |
| B. | 霍尔元件灵敏度与半导体样品薄片的长度a、宽度b均无关 | |
| C. | 在其他条件不变时,单位体积中导电的电子数n越大,霍尔元件灵敏度越高 | |
| D. | 在其他条件不变时,沿磁场方向半导体薄片的厚度c越大,霍尔元件灵敏度越高 |
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科目: 来源: 题型:多选题
| A. | QA与QB一定为异种电荷 | |
| B. | QB=$\sqrt{3}$QA | |
| C. | 由QA、QB激发的电场,在圆环上各处电势相等 | |
| D. | 小珠P运动过程中对圆环的弹力大小处处相等 |
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科目: 来源: 题型:填空题
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科目: 来源: 题型:选择题
| A. | mg | B. | m$\frac{{v}^{2}}{R}$ | C. | m$\frac{{v}^{2}}{R}$+mg | D. | m$\frac{{v}^{2}}{R}$-mg |
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科目: 来源: 题型:解答题
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