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科目: 来源: 题型:多选题
| A. | 下滑过程电阻R消耗的最大功率为$\frac{{m}^{2}{g}^{2}si{n}^{2}θ}{{B}^{2}{L}^{2}}$R | |
| B. | 下滑过程电阻R消耗的最大功率为$\frac{3{m}^{2}{g}^{2}si{n}^{2}θ}{{B}^{2}{L}^{2}}$R | |
| C. | 下滑过程重力做功为mgssinθ | |
| D. | 下滑过程克服安培力做的功为$\frac{9{m}^{3}{g}^{2}si{n}^{2}θ}{2{B}^{4}{L}^{4}}$R2 |
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| A. | B. | C. | D. |
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科目: 来源: 题型:选择题
| A. | 电阻R1的发热功率为$\frac{Fv}{3}$ | |
| B. | 电阻R0的发热功率为$\frac{Fv}{3}$ | |
| C. | 整个装置因摩擦而产生的热功率为μmgv•cosθ | |
| D. | 导体棒ab所受的安培力方向竖直向下 |
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| A. | 甲和乙 | B. | 乙和丙 | C. | 丙和丁 | D. | 甲和丁 |
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