6．如图所示，竖直放置的光滑平行金属导轨MN、PQ间距L=1m，在M点和P点间接有一个阻值为R=0.8Ω的电阻，在两导轨间的矩形区域OO₁O₁′O′内有垂直导轨平面向里、高度h=1.55m的匀强磁场，磁感应强度为B=1T．一长度d=1.2m，质量为m=0.5kg，整根电阻为r=0.24Ω的导体棒ab垂直搁在导轨上，与磁场上边界相距h₀=0.45m，现使ab棒由静止开始释放，下落过程中，棒ab与导轨始终保持良好的电接触且始终保持水平，在离开磁场前已经做匀速直线运动，导轨电阻不计．求：
（1）ab棒在离开磁场下边界时的速度大小
（2）ab棒速度达到4m/s时的加速度大小，并定性说明导体棒ab在离开磁场下边界O₁′O′前的运动过程．
（3）ab棒在通过磁场区的过程中产生的焦耳热．

5．如图所示，在坐标系的第一象限内有一横截面为四分之一圆周的柱状玻璃体OPQ，OP=OQ=R，一束单色光垂直OP面射入玻璃体，在OP面上的入射点为A，OA=$\frac{R}{2}$，该单色光通过柱状玻璃体后沿BD方向射出，且与x轴交于D点，OD=$\sqrt{3}$R，求：
（1）单色光从PBQ界面射出的出射角？
（2）柱状玻璃体的折射率是多少？
（3）将入射到OP面上的单色光至少向上平移多少，将不能从PBQ界面直接折射出来？

4．某同学在做“用单摆测定重力加速度”的实验时，
（1）若测得摆球连续经过最低点101次所用时间为100.5s，则该单摆的振动周期是2.01s．
（2）若在实验操作过程中，摆球的运动并未在竖直平面内摆动，而是做如图所示的椭圆形运动，则所测得的g值将偏大（填“偏大”、“偏小”、“无影响”）

3．如图所示，将万用电表的选择开关置于欧姆档，再将电表的两支表笔分别与光敏电阻R_g的两端相连，这时表针恰好指在刻度盘的中央，若用不透光的黑纸将R_g包裹起来，表针将向左（填“左”或“右”）偏转．

2．某水电站，输出电功率是4.0×10⁶KW，用总电阻为10Ω的输电线输电给1×10³km外的用户，现用500 kV电压输电，则下列说法正确的是（　　）

	A．	输电线上输送的电流大小为5.0×104A
	B．	因输电线电阻而造成的损失电压为80kV
	C．	若改用5kV电压输电，则输电线上的损失的功率为6.4×109kW
	D．	输电线上损失的功率为△P=$\frac{{u}^{2}}{r}$，U为输电电压，r为输电线的电阻

1．如图所示的理想变压器，移动滑动触头P可以改变圆线圈接入电路的匝数，且已知原线圈总匝数n₁与副线圈的匝数比n₁：n₂≤1，副线圈与一滑动变阻器相连，Q为滑动变阻器的滑动触头，则下列说法正确的是（　　）

	A．	当交流电源接a，b时，U2一定小于U1，向上移动滑动触头P，比值$\frac{{U}_{1}}{{U}_{2}}$将变小
	B．	当交流电源接a，b时，U2可能等于U1，向上移动滑动触头P，比值$\frac{{U}_{1}}{{U}_{2}}$将变大
	C．	当交流电源接c，d时，U1小于U2，向上移动滑动触头Q，比值$\frac{{U}_{1}}{{U}_{2}}$将变小
	D．	当交流电源接c，d时，U1小于U2，向上移动滑动触头Q，比值$\frac{{U}_{1}}{{U}_{2}}$将不变

20．空气中悬浮着一颗球形小水珠，一缕阳光水平入射，如图所示，n_甲、n_乙和n_丙分别表示水对甲光、乙光和丙光的折射率．判断以下表述正确的是（　　）

	A．	n甲大于n乙
	B．	甲光在水珠中的传播速度大于乙光在水珠中的传播速度
	C．	丙光的频率大于乙光的频率
	D．	甲光、乙光和丙光由小水珠出射到空气的折射角不相等

19．如图所示，在LC震荡电路中，当电容器充电完毕尚未开始放电时，下列说法正确的是（　　）

	A．	电容器中的电场强度最大		B．	电感线圈两端的电压最大
	C．	电场能已有一部分转化成磁场能		D．	磁场能已有一部分转化成电场能

18．如图甲所示，一根水平张紧的弹性长绳上有等间距的Q′、P’、O、P、Q质点，相邻两质点间距离为1m，t=0时刻O质点从平衡位置开始沿y轴正方向振动，并产生分别向左、向右传播的简谐横波，O质点振动图象如乙所示，当O点第一次达到正方向最大位移时刻，P点刚开始振动，则下列说法正确的是（　　）

	A．	这列波的波长为2m，传播速度为2m/s
	B．	当Q′质点第二次达到正向最大位移时，O质点已经走过35cm路程
	C．	T=3s时，质点P′，P均在平衡位置且均向下运动
	D．	T=2s时，质点P位于波峰，质点P′则位于波谷

17．下列说法正确的是（　　）

	A．	话筒是一种常见的声传感器，其作用是将电信号转化为声信号
	B．	电熨斗中的双金属片温度传感器的作用是控制电路的通断
	C．	遥控器调换电视机频道的过程，是把光信号转化为电信号的过程
	D．	半导体热敏电阻常用作温度传感器，因为温度越高，它的电阻值越大