[题目]一个足够长的绝缘斜面.倾角为θ.置于匀强磁场中.磁感应强度为B.方向垂直于纸面向里.与水平面平行.如图所示.现有一带电荷量为q.质量为m的小球在斜面顶端由静止开始释放.小球与斜面间的动摩擦因数——青夏教育精英家教网—

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【题目】一个足够长的绝缘斜面，倾角为θ，置于匀强磁场中，磁感应强度为B，方向垂直于纸面向里，与水平面平行，如图所示，现有一带电荷量为q，质量为m的小球在斜面顶端由静止开始释放，小球与斜面间的动摩擦因数为μ，则

A. 如果小球带正电，小球在斜面上的最大速度为

B. 如果小球带正电，小球在斜面上的最大速度为

C. 如果小球带负电，小球在斜面上的最大速度为

D. 如果小球带负电，小球在斜面上的最大速度为

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【题目】如图所示，图中的四个电表均为理想电表，当滑动变阻器滑片P向右端移动时，下面说法中正确的是（）

A. 电压表V1的读数减小，电流表A1的读数增大

B. 电压表V1的读数增大，电流表A1的读数减小

C. 电压表V2的读数减小，电流表A2的读数增大

D. 电压表V2的读数增大，电流表A2的读数减小

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【题目】一质量为m、电阻为r的金属杆ab，以一定的初速度v0从一光滑平行金属导轨底端向上滑行，导轨平面与水平面成30°角，两导轨上端用一电阻R相连，如图所示，磁场垂直斜面向上，导轨的电阻不计，金属杆向上滑行到某一高度之后又返回到底端时的速度大小为v，则金属杆在滑行的过程中,说法不正确的是(　　)

A. 向上滑行的时间小于向下滑行的时间

B. 在向上滑行时电阻R上产生的热量大于向下滑行时电阻R上产生的热量

C. 金属杆从开始上滑至返回出发点，电阻R上产生的热量为m()

D. 向上滑行时与向下滑行时通过电阻R的电荷量相等

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【题目】如图所示，足够长平行金属导轨倾斜放置，倾角为37°，宽度为0.5m，电阻忽略不计，其上端接一小灯泡，电阻为1Ω。一导体棒MN垂直于导轨放置，质量为0.2kg，接入电路的电阻为1Ω，两端与导轨接触良好，与导轨间的动摩擦因数为0.5。在导轨间存在着垂直于导轨平面的匀强磁场，磁感应强度为0.8T。将导体棒MN由静止释放，运动一段时间后，小灯泡稳定发光，此后导体棒MN的运动速度以及小灯泡消耗的电功率分别为（重力加速度g取10m/s2，sin37°=0.6）

A. 2.5m/s，1W B. 5m/s，1W C. 7.5m/s，9W D. 15m/s，9W

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【题目】图甲为小型旋转电枢式交流发电机的原理图，其矩形线圈在磁感应强度为B的匀强磁场中，绕垂直于磁场方向的固定轴OO′匀速转动，线圈的两端经集流环和电刷与R＝10 Ω的电阻连接，与电阻R并联的交流电压表为理想电表，示数是10 V。图乙是矩形线圈磁通量Φ随时间t变化的图像，则(　　)

A. 电阻R上的热功率为20 W

B. 0.02 s时R两端的电压瞬时值为零

C. R两端的电压u随时间t变化的规律是u＝10cos 100πt(V)

D. 通过R的电流i随时间t变化的规律是i＝cos 50πt(A)

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【题目】如图所示，金属块Q放在带光滑小孔的水平桌面上，一根穿过小孔的细线，上端固定在Q上，下端拴一个小球。小球在某一水平面内做匀速圆周运动圆锥摆，细线与竖直方向成角图中P位置。现使小球在更高的水平面上做匀速圆周运动细线与竖直方高成角图中位置。两种情况下，金属块Q都静止在桌面上的同一点，则后一种情况与原来相比较，下面判断正确的是

A. Q受到桌面的静摩擦力大小不变 B. 小球运动的角速度变大

C. 细线所受的拉力之比为2：1 D. 小球向心力大小之比为3：1

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【题目】电荷的定向移动形成电流，电流是物理量中的基本量之一。电流载体称为载流子，大自然有很多种承载电荷的载流子，例如，金属导体内可自由移动的电子、电解液内的离子、等离子体内的正负离子，半导体中的空穴，这些载流子的定向移动，都可形成电流。

（1）电子绕氢原子核做圆周运动时，可等效为环形电流，已知静电力常量为k，电子的电荷量为e，质量为m，电子在半径为r的轨道上做圆周运动。试计算电子绕氢原子核在该轨道上做圆周运动形成的等效电流大小；

（2）如图，AD表示一段粗细均匀的一段导体，两端加一定的电压，导体中的自由电荷沿导体定向移动的速率为v，设导体的横截面积为s，导体每单位体积内的自由电荷数为n，每个自由电荷所带的电荷量为e．试证明导体中电流强度I=nesv；

（3）有一圆柱形的纯净半导体硅，其横截面积为2.5cm2，通有电流2mA时，其内自由电子定向移动的平均速率为7.5×10-5m/s，空穴定向移动的平均速率为2.5×10-5m/s。已知硅的密度2.4×103kg/m3，摩尔质量是28。电子的电荷量e=－1.6×10-19C，空穴和电子总是成对出现，它们所带电荷量相等，但电性相反，阿伏伽德罗常数为N0=6.02×1023mol-1。若一个硅原子至多只释放一个自由电子，试估算此半导体材料平均多少个硅原子才有一个硅原子释放出自由电子？