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精英家教网一导体材料的样品的体积为a×b×c,A′、C、A、C′为其四个侧面,如图所示.已知导体样品中载流子是自由电子,且单位体积中的自由电子数为n,电阻率为ρ,电子的电荷量为e,沿x方向通有电流I.
(1)导体样品A′、A两个侧面之间的电压是
 
,导体样品中自由电子定向移动的速率是
 

(2)将该导体样品放在匀强磁场中,磁场方向沿z轴正方向,则导体侧面C的电势
 
(填“高于”、“低于”或“等于”)侧面C′的电势.
(3)在(2)中,达到稳定状态时,沿x方向的电流仍为I,若测得C、C′两侧面的电势差为U,则匀强磁场的磁感应强度B的大小为
 

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精英家教网在第三次工业革命的今天,新材料的发现和运用尤为重要.我国某科研机构发现一种新型的半导体材料,目前已经知道这种半导体材料的载流子(参与导电的“带电粒子”)的电荷量的值是e(电子电量的绝对值),但不知道它的电性和载流子的数密度n(单位体积中载流子的数量).为了测定这种材料中的载流子是带正电还是带负电,以及载流子的数密度,科学家把这种材料先加工成一块偏平的六面体样品,这块样品的长、宽和厚度分别为a、b、d(如图中所示).现将这块样品接入电路中,且把靠外的偏平面标记为M,靠里的偏平面标记为N,然后在垂直于大平面的方向加上一个磁感应强度大小为B的匀强磁场.接通电键S,调节可变电阻R.使电路中产生合适的电流.然后用电压表判定M、N两个面的电势高低并测定M、N间的电压(也叫霍耳电压),从而得到这种半导体材料载流子的电性和数密度.
(1)当M的电势比N的电势低时,材料中的载流子带
 
电(填“正”或“负”);
(2)为了测定载流子的数密度n,除题目中已给出的数据外,还需要测定的物理量有(写出物理量的含义并设定相应的符号)
 

(3)根据题设条件和你测定的物理量,写出载流子的数密度的表达式n=
 

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精英家教网“大洋一号”是我国首次组织的横跨三大洋的远洋考察船,在航行过程中,海洋工作者可以根据水流切割地磁场所产生的感应电动势来测定海水的速度.假设海洋某处的地磁场竖直分量为B=0.5×10-4T,水流是南北流向,如图所示,将两个电极竖直插入此处海水中,且保持两极极板平行于水流方向.若两电极距离L=10m,与两电极相连的灵敏电压表读数U=0.2mV,则海水的流速大小为
 
m/s.

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精英家教网如图所示宽度为d、厚度为h的金属板放在垂直于它的磁感应强度为B的匀强磁场中,当有电流I通过金属板时,在金属板上侧面A和下侧面间产生电势差,这种现象叫霍尔效应.若金属板内自由电子密度为n,则产生的电势差U=
 

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精英家教网如图所示,在磁流体发电机中,把气体加热到很高的温度使它变成等离子体,已知离子的电量为q,让它以速度v通过磁感应强度为B的匀强磁场区,这里有间距为d的电极a和b.两个电极间的电势差为
 

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精英家教网如图将一金属薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.且满足Um=kIB/d,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.回答下列问题
(1)关于c、f两侧面哪面的电势较高?
 
(填c或f)
(2)其他条件不变,只增加磁感应强度B的大小,霍尔电压Um会怎样变化?
 
(填增大或减小)

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精英家教网某污水处理厂为了测量和控制污水的流量(单位时间内通过管内横截面流体的体积)设计了如图所示的截面积为长方形的一段管道,其中空部分长、宽、高分别为图中的a、b、c.其两端与输送污水的管道相连(图中两侧虚线).途中长方形管道上下两面是金属材料,前后两面是绝缘材料.现在加上垂直与前后两面磁感应强度为B的水平匀强磁场,当污水稳定地流过时,在此管道的上下两面连一个电阻为R的电流表,其示数为I,已知污水的电阻率为ρ,则其流量为(  )
A、
1
B
(R+ρ
bc
a
B、
1
B
(aR+ρ
b
c
C、
1
B
(cR+ρ
a
b
D、
1
B
(bR+ρ
c
a

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某地的地磁场磁感应强度的竖直分量方向向下,大小为4.5×10-5T.一灵敏电压表连接在当地入海河段的两岸,河宽100m,该河段涨潮和落潮时有海水(视为导体)流过.设落潮时,海水自西向东流,流速为2m/s.下列说法正确的是(  )
A、河北岸的电势较高B、河南岸的电势较高C、电压表记录的电压为9mVD、电压表记录的电压为5mV

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精英家教网处在非匀强磁场中的闭合金属环从曲面上h高处滚下,又沿曲面的另一侧上升到最大高度,设环的初速度为零,摩擦不计,曲面处在图所示的非匀强磁场中,则此过程中(  )
A、环滚上的高度小于hB、环滚上的高度等于hC、环中无感应电流产生D、环损失的机械能大于环产生的焦耳热

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精英家教网如图所示,铜质导电板宽为d,置于匀强磁场中,磁感应强度为B,通电时铜板中电流方向向下,电子定向移动速度为V,由于磁场的作用,a、b两处电势分别为φa、φb,则(  )
A、板左侧聚集较多电子B、板右侧聚集较多电子C、φba=BvdD、φab=Bvd

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