硅光电池作为电源已广泛应用于人造卫星、灯塔和无人气象站等，高速公路上安装的“电子眼”通常也采用硅光电池供电．硅光电池的原理如图所示， a、b是硅光电池的两个电极，P、N 是两块硅半导体，E区是两块半导体自发形成的匀强电场区，P的上表面镀有一层增透膜．光照射到半导体P上，使P内受原子束缚的电子成为自由电子，自由电子经E区电场加速到达半导体N，从而产生电动势形成电流．以下说法中不正确的是（    ）

将电动势为3．0V的电源接入电路中，测得电源外电路的总电压为2．4V，当电路中有6C的电荷流过时

有一横截面积为S的铝导线，当有电压加在该导线上时，导线中的电流强度为I。设每单位体积的导线中有n个自由电子，电子电量为e，此时电子定向移动的速度为v，则在△t时间内，通过导体横截面的自由电子数目可表示为（  ）

A．

B．nvS

C．nv△t

D．

在示波管中，2s内有6×10¹³个电子通过横截面大小不知的电子枪，则示波管中电流大小为

关于电动势，下列说法正确的是    

下列关于电源的说法，正确的是

 一段导体横截面积为S,导体单位长度上的自由电荷数为n,设其中单个自由电荷所带电量为q,定向移动速率为v,则导体中电流强度的表达式为（  ）

给一粗细不均匀的同种材料制成的导体通电，下列说法正确的是(　　)

如图所示，某种确定材料的圆柱形导体横截面的直径为d、长为L，其两端所加的电压为U，当这三个物理量中仅有一个物理量改变时，关于导体中自由电子定向运动的平均速率，下列说法正确是（    ）

有一横截面积为S的铜导线，流经其中的电流为I，设每单位体积的导线有n个自由电子，电子电量为e，此时电子的定向转动速度为υ，在△t时间内，通过导体横截面的自由电子数目可表示为（  ）