砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答:
(1)As的核外电子排布式为 。
(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。
(3)下列说法正确的是 (填字母)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga
D.砷化镓晶体中含有配位键
E.半导体GaP与GaAs互为等电子体
(4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH3的空间形状为 ,(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是 。
科目:高中化学 来源: 题型:
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砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。
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(1)As的核外电子排布式为 。
(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。
(3)下列说法正确的是 (填字母)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga D.砷化镓晶体中含有配位键
E.半导体GaP与GaAs互为等电子体
(4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。
AsH3的空间形状为 ,(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是 。
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(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。
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C.电负性:As>Ga D.砷化镓晶体中含有配位键
E.半导体GaP与GaAs互为等电子体
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B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga
D.砷化镓晶体中含有配位键
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