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砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答:

(1)As的核外电子排布式为      

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为       

(3)下列说法正确的是       (填字母)。

A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B.第一电离能:As>Ga

C.电负性:As>Ga

D.砷化镓晶体中含有配位键

E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH3的空间形状为       ,(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为      

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是      

(12分)

(1)1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3(2分)

(2)4(2分)

(3)BCDE(2分,写对1个得0分,写对2~3个得1分,有错得0分)

(4)三角锥形(2分)    sp2(2分)

(5)NH3分子间能形成氢键,而AsH3分子间不能形成氢键(2分,没有强调分子间氢键的得1分,回答分子内氢键的得0分)

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科目:高中化学 来源: 题型:

【选修3--物质结构与性质】
砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%.推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措.请回答下列问题:
(1)写出As基态原子的价电子排布式:
 

(2)As的第一电离能比Ga的
 
(填“大”或“小”,下同),As的电负性比Ga的
 

(3)比较As的简单氢化物与同族第二、三周期元素所形成的简单氢化物的沸点,并说明理由:
 

(4)GaAs的晶体结构与单晶硅相似,在GaAs晶体中,每个Ga原子与
 
个As原子相连,与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为
 
.在四大晶体类型中,GaAs属于
 
晶体.
(5)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反应制得,此反应的化学方程式为
 
;已知(CH33Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化轨道类型为
 

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科目:高中化学 来源: 题型:

       砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。

       试回答:

(1)As的核外电子排布式为                    

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为         

(3)下列说法正确的是      (填字母)。

       A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同           B.第一电离能:As>Ga

       C.电负性:As>Ga                     D.砷化镓晶体中含有配位键

       E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。

AsH3的空间形状为               ,(CH33Ga中镓原子的杂化方式为             

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是     

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科目:高中化学 来源: 题型:

       砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。

       试回答:

(1)As的核外电子排布式为                    

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为         

(3)下列说法正确的是      (填字母)。

       A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同           B.第一电离能:As>Ga

       C.电负性:As>Ga                     D.砷化镓晶体中含有配位键

       E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。

AsH3的空间形状为               ,(CH33Ga中镓原子的杂化方式为             

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是     

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科目:高中化学 来源: 题型:

砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答:

(1)As的核外电子排布式为      

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为      

(3)下列说法正确的是       (填字母)。

       A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同

       B.第一电离能:As>Ga

       C.电负性:As>Ga

       D.砷化镓晶体中含有配位键

E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH3的空间形状为       ,(CH33Ga中镓原子的杂化方式为      

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是      

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