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GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外层电子数分别是:Ga________、As________。

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是:Ga________价、As________价。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为________。

硅   四氟化硅    二氧化硅    硅酸钠硅酸


解析:

由硅元素的特征性质推断。

练习册系列答案
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科目:高中化学 来源: 题型:

2010年上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED).目前市售LED品片,材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、lnGaN(氮化铟镓)为主.已知镓是铝同族下一周期的元素.砷化镓的晶胞结构如图.试回答:
(1)镓的基态原子的电子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为
4
4
,与同一个镓原子相连的砷原子成的空间构型为
正四面体
正四面体

(3)N、P、As处于同一主族,其氢化物沸点由高到低的顺序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
. (用氢化物分子式表示)
(4)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃时制得.(CH33Ga中镓原子的杂化方式为
sp2
sp2

(5)比较二者的第一电离能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(6)下列说法正确的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同B.GaP与GaAs互为等电子体
C.电负性:As>Ga       D.砷化镓晶体中含有配位键.

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科目:高中化学 来源: 题型:

GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外层电子数分别是:Ga________、As________。

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是:Ga________价、As________价。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为________。

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科目:高中化学 来源:2012-2013学年河南省郑州市第四中学高二下学期期中考试化学试卷(带解析) 题型:填空题

2010年上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED晶片,材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。砷化镓的晶胞结构如图。试回答:

(1)镓的基态原子的电子排布式是_______。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为______,与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为______。
(3)下列说法正确的是_________(填字母)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As<Ga
C.电负性:As>Ga
D.GaP与GaAs互为等电子体
(4)N、P、As处于同一主族,其氢化物沸点由高到低的顺序是_________。
(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。

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科目:高中化学 来源:2014届河南省郑州市高二下学期期中考试化学试卷(解析版) 题型:填空题

2010年上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED晶片,材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。砷化镓的晶胞结构如图。试回答:

(1)镓的基态原子的电子排布式是_______。

(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为______,与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为______。

(3)下列说法正确的是_________(填字母)。

A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B.第一电离能:As<Ga

C.电负性:As>Ga

D.GaP与GaAs互为等电子体

(4)N、P、As处于同一主族,其氢化物沸点由高到低的顺序是_________。

(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。

 

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