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如图所示,两条水平虚线之间有垂直于纸面向里,宽度为d,磁感应强度为B的匀强磁场.质量为m,电阻为R的正方形线圈边长为L(L<d),线圈下边缘到磁场上边界的距离为h.将线圈由静止释放,其下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时刻的速度都是v0,则在整个线圈穿过磁场的全过程中(从下边缘进入磁场到上边缘穿出磁场),下列说法中正确的是(  )
分析:线圈由静止释放,其下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时刻的速度都是v0,又因为线圈全部进入磁场不受安培力,要做匀加速运动.可知线圈进入磁场先要做减速运动.
解答:解:A、根据线圈下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时刻的速度都是v0,且全部进入磁场将做加速运动,所以进磁场时将做减速运动.故A、B错误.
    C、因为进磁场时要减速,可知线圈完全进入磁场时速度最小,从完全进入磁场到下边刚接触磁场的下边界过程中,做匀加速直线运动,有v02-v2=2g(d-L).v=
v02-2g(d-L)
.从静止开始下落到线圈下边接触磁场上边界的过程中做自由落体运动,有v02=2gh,所以最小速度v=
2g(h-d+L)
.故C错误,D正确.
故选D.
点评:解决本题的关键根据根据线圈下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时刻的速度都是v0,且全部进入磁场将做加速运动,判断出线圈进磁场后先做变减速运动,也得出全部进磁场时的速度是穿越磁场过程中的最小速度.
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科目:高中物理 来源: 题型:

(2010?南京二模)如图所示,两条光滑的绝缘导轨,导轨的水平部分与倾斜部分平滑连接.两导轨间距为L=0.5m.导轨的倾斜部分与水平面成θ=530角.其中有一段匀强磁场区域abcd,磁场方向垂直于斜面向上.导轨的水平部分有n段相同的匀强磁场区域.磁场方向竖直向上,所有磁场的磁感虚强度大小均为B=1T.磁场沿导轨的长度均为L=0.5m.磁场左、右两侧边界均与导轨垂直.导轨的水平部分中相邻磁场区域的间距也为L.现有一质量为m=0.5kg,电阻为r=0.125Ω,边长也为L的正方形金属框PQMN,从倾斜导轨上由静止释放,释放时MN边离水平导轨的高度h=2.4m,金属框滑进磁场abcd时恰好作匀速运动,此后,金属框从导轨的倾斜部分滑上水平部分并最终停停止.取重力加速度g=10m/s2,sin53°=0.8,cos53°=0.6.求:
(1)金属框刚释放时MN边与ab的距离s;
(2)金属框能穿过导轨的水平部分中几段磁场区域;
(3)整个过程中金属框内产生的电热.

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科目:高中物理 来源:南京二模 题型:问答题

如图所示,两条光滑的绝缘导轨,导轨的水平部分与倾斜部分平滑连接.两导轨间距为L=0.5m.导轨的倾斜部分与水平面成θ=530角.其中有一段匀强磁场区域abcd,磁场方向垂直于斜面向上.导轨的水平部分有n段相同的匀强磁场区域.磁场方向竖直向上,所有磁场的磁感虚强度大小均为B=1T.磁场沿导轨的长度均为L=0.5m.磁场左、右两侧边界均与导轨垂直.导轨的水平部分中相邻磁场区域的间距也为L.现有一质量为m=0.5kg,电阻为r=0.125Ω,边长也为L的正方形金属框PQMN,从倾斜导轨上由静止释放,释放时MN边离水平导轨的高度h=2.4m,金属框滑进磁场abcd时恰好作匀速运动,此后,金属框从导轨的倾斜部分滑上水平部分并最终停停止.取重力加速度g=10m/s2,sin53°=0.8,cos53°=0.6.求:
(1)金属框刚释放时MN边与ab的距离s;
(2)金属框能穿过导轨的水平部分中几段磁场区域;
(3)整个过程中金属框内产生的电热.

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科目:高中物理 来源:2013年高考物理备考复习卷10:电磁感应(解析版) 题型:解答题

如图所示,两条光滑的绝缘导轨,导轨的水平部分与倾斜部分平滑连接.两导轨间距为L=0.5m.导轨的倾斜部分与水平面成θ=53角.其中有一段匀强磁场区域abcd,磁场方向垂直于斜面向上.导轨的水平部分有n段相同的匀强磁场区域.磁场方向竖直向上,所有磁场的磁感虚强度大小均为B=1T.磁场沿导轨的长度均为L=0.5m.磁场左、右两侧边界均与导轨垂直.导轨的水平部分中相邻磁场区域的间距也为L.现有一质量为m=0.5kg,电阻为r=0.125Ω,边长也为L的正方形金属框PQMN,从倾斜导轨上由静止释放,释放时MN边离水平导轨的高度h=2.4m,金属框滑进磁场abcd时恰好作匀速运动,此后,金属框从导轨的倾斜部分滑上水平部分并最终停停止.取重力加速度g=10m/s2,sin53°=0.8,cos53°=0.6.求:
(1)金属框刚释放时MN边与ab的距离s;
(2)金属框能穿过导轨的水平部分中几段磁场区域;
(3)整个过程中金属框内产生的电热.

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科目:高中物理 来源:2010年江苏省南京市高考物理二模试卷(解析版) 题型:解答题

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(1)金属框刚释放时MN边与ab的距离s;
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