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    如图相距为L的两光滑平行导轨，平行放置在倾角为θ的斜面上，导轨的右端接有电阻R（轨道电阻不计），斜面处在一匀强磁场B中，磁场方向垂直于斜面向上，质量为m，电阻为2R的金属棒ab放在导轨上，与导轨接触良好，由静止释放，下滑距离S后速度最大，则（　　）
    A．下滑过程电阻R消耗的最大功率为
    m2g2Sin2θ
    B2L2
    R
    B．下滑过程电阻R消耗的最大功率为
    3m2g2Sin2θ
    B2L2
    R
    C．下滑过程安培力做功
    9m3g2Sin2θ
    2B4L4
    R2
    D．下滑过程安培力做功mgS?sinθ-
    9m3g2Sin2θ
    2B4L4
    R2

    A、对棒受力分析，如图所示，

    当棒达到最大速度时，处于受力平衡状态，则有：F=mgsinθ；
    又F=BIL；
    闭合电路欧姆定律有：I=
    E
    3R
    ；
    切割感应电动势为：E=BLvm；
    因此联立可得：
    B2L2vm
    3R
    =mgsinθ
    则：vm=
    3mgRsinθ
    B2L2
    ；
    所以下滑的最大电功率为：P=Fvm=
    3m2g2Sin2θ
    B2L2
    R    ；故A错误，B正确；
    C、导体棒下滑过程中，根据动能定理得：
    则有：WG-W安=
    1
    2
    mv2    -0，
    解得：安培力做功mgS?Sinθ-
    9m3g2Sin2θ
    2B4L4
    R2    ．故C错误，D正确；
    故选：BD．
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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图甲所示，一个圆形线圈的匝数n=100，线圈面积S=200cm2，线圈的电阻r=1Ω，线圈外接一个阻值R=4Ω的电阻，把线圈放入一方向垂直线圈平面向里的匀强磁场中，磁感应强度随时间变化规律如图已所示．下列说法中正确的是（　　）
    A．线圈中的感应电流方向为顺时针方向
    B．电阻R两端的电压随时间均匀增大
    C．线圈电阻r消耗的功率为4×10-4W
    D．前4s内通过R的电荷量为4×10-4C

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图甲所示圆环形线圈处在匀强磁场B中，磁场方向与环面垂直．磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示．规定图中所标的磁场方向和感应电流方向为正方向，则圆环中的感应电流i随时间变化的图中正确的是（　　）
    A．B．C．D．

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    穿过闭合回路的磁通量φ随时间t变化的图象分别如图①～④所示，下列关于回路中产生的感应电动势的论述正确的是（　　）
    A．图①中，回路不产生感应电动势
    B．图②中，回路产生的感应电动势一直在变大
    C．图③中，回路在0～t1时间内产生的感应电动势小于在t1～t2时间内产生的感应电动势
    D．图④中，回路产生的感应电动势先变大再变小

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：多选题

    如图所示，在倾角为a的光滑斜面上，abcd区域存在着垂直斜面向上的匀强磁场，边界ab和cd都沿水平方向，ac=L，在斜面上质量为m，边长为L的正方形导线框沿斜面自由下滑，恰好匀速穿过磁场，下列说法正确的是（　　）
    A．在穿过磁场过程中线框内电流方向不变
    B．在穿过磁场过程中线框受的磁场力方向不变
    C．在穿过磁场过程中，线框中产生热量为2mgLsina
    D．在穿过磁场过程中，线框受的磁场力的方向沿斜面上

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：问答题

    有一匝数n=200匝的矩形线圈abcd放在磁场中，线圈回路的总电阻R=5Ω．线圈平面垂直于磁感线方向．穿过线圈的磁通量φ随时间变化的规律如图所示，求：
    （1）线圈中产生的感应电动势；
    （2）线圈中产生的感应电流；
    （3）30×0.01s内线圈中产生的热量．

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图所示，一个闭合线圈，放在匀强磁场中，线圈的轴线与磁场成30°角，磁感应强度B随时间匀速变化，线圈导线电阻率不变，用下述哪个方法可使线圈上感应电流增加一倍（　　）
    A．把线圈的匝数增加一倍
    B．把线圈的面积增加一倍
    C．把线圈的半径增加一倍
    D．改变线圈轴线对于磁场的方向

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图甲所示，在光滑水平面上用恒力F拉质量为1kg的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度v0=3m/s进入匀强磁场时开始计时t=0，此时线框中感应电动势为1V，在t=3s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场．此过程中v-t图象如图乙所示，那么（　　）
    A．t=0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25V
    B．恒力F的大小为1.0N
    C．线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2m/s
    D．线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1m/s

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    下列关于感应电动势的说法正确的是（　　）
    A．闭合回路中的磁感应强度越大，感应电动势越大
    B．闭合回路中的磁通量越大，感应电动势越大
    C．闭合回路中的磁通量变化越大，感应电动势越大
    D．闭合回路中的磁通量变化越快，感应电动势越大

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