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    在磁感应强度为0.5T的匀强磁场中，让长为0.2m的导线垂直于磁场方向，导线做切割磁感线运动，产生的感应电动势为0.5V，则导线切割磁感线的速度为：
    A．0.5m/SB．5m/SC．0.05m/SD．2.5m/s
    B
    由E=BLV可知V=5m/S，B对；
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    相关习题

    科目：高中物理 来源：不详 题型：填空题

    (2011年陕西汉中调研)一个由电阻均匀的导线绕制成的闭合线圈放在匀强磁场中，如图9－1－11所示，线圈平面与磁场方向成60°角，磁感应强度随时间均匀变化，用下列哪种方法可使感应电流增加一倍(　　)

    图9－1－11
    A．把线圈匝数增加一倍
    B．把线圈面积增加一倍
    C．把线圈半径增加一倍
    D．改变线圈与磁场方向的夹角

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图所示，沿x轴、y轴有两根长直导线，互相绝缘．x轴上的导线中通有沿－x方向的电流，y轴上的导线中通有沿＋y方向的电流，两虚线是坐标轴所夹角的角平分线．a、b、c、d是四个圆心在虚线上、与坐标原点等距的相同的圆形导线环．当两直导线中的电流从相同大小，以相同的快慢均匀减小时，各导线环中的感应电流情况是(　　)
    A．a中有逆时针方向的电流
    B．b中有顺时针方向的电流
    C．c中有逆时针方向的电流
    D．d中有顺时针方向的电流

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

    （19分）如图所示，电子显像管由电子枪、加速电场、偏转磁场及荧光屏组成。在加速电场右侧有相距为d、长为l的两平板，两平板构成的矩形区域内存在方向垂直纸面向外的匀强磁场，磁场的右边界与荧光屏之间的距离也为d。荧光屏中点O与加速电极上两小孔S1、S2位于两板的中线上。从电子枪发射质量为m、电荷量为 –e的电子，经电压为U0的加速电场后从小孔S2射出，经磁场偏转后，最后打到荧光屏上。若，不计电子在进入加速电场前的速度。

    （1）求电子进入磁场时的速度大小；
    （2）求电子到达荧光屏的位置与O点距离的最大值和磁感应强度B的大小；
    （3）若撤去磁场,在原磁场区域加上间距仍为d的上、下极板构成的偏转电极，加速电极右侧与偏转电极紧靠。为了使电子经电场偏转后到达荧光屏上的位置与经磁场偏转的最大值相同。在保持O与S2距离不变，允许改变板长的前提下，求所加偏转电压的最小值。

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

    如图a所示，有一个N=1000匝的线圈放在磁场中，线圈电阻不计，线圈连接的电阻阻值是R=10Ω，线圈平面垂直于磁感线方向。穿过线圈的磁通量Ф随时间变化的规律如图b所示，求：
    （1）线圈中的感应电动势；
    （2）电阻的热功率.

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图4所示，同一平面内的三条平行导线串有两个电阻R和r，导体棒PQ与三条导线接触良好，匀强磁场的方向垂直纸面向里．导体棒的电阻可忽略，当导体棒向左滑动时，下列说法正确的是(　　)
    A．流过R的电流为由d到c，流过r的电流为由b到a
    B．流过R的电流为由c到d，流过r的电流为由b到a
    C．流过R的电流为由d到c，流过r的电流为由a到b
    D．流过R的电流为由c到d，流过r的电流为由a到b

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    闭合线圈共有100匝,线圈平面面积为400cm2,总电阻为5Ω,若线圈平面与磁场垂直,且保持静止,磁场的磁感应强度按如图所示规律变化,则下列计算正确的有：（ ）
    A．t=1s时,I感=1.6AB．t=2s时,φ=8wb
    C．t=3s时,E感=8VD．t=1s时,线圈有缩小的趋势

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

    如图甲所示是某同学设计的一种振动发电装置的示意图，它的结构是一个套在辐向形永久磁铁槽中的半径为r＝0.10 m、匝数n＝20匝的线圈，磁场的磁感线均沿半径方向均匀分布(其右视图如图乙所示)．在线圈所在位置磁感应强度B的大小均为B＝ T，线圈的电阻为R1＝0.50 Ω，它的引出线接有R2＝9.5 Ω的小电珠L.外力推动线圈框架的P端，使线圈沿轴线做往复运动，便有电流通过小电珠．当线圈运动速度v随时间t变化的规律如图丙所示时(摩擦等损耗不计)．求：
    (1)小电珠中电流的最大值；
    (2)电压表的示数；
    (3)t＝0.1 s时外力F的大小；

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

    关于法拉第电磁感应定律，下列说法正确的是（   ）
    A．感应电动势与穿过闭合电路的磁通量成正比
    B．感应电动势与穿过闭合电路的磁通量的变化量成正比
    C．感应电动势与穿过闭合电路的磁通量的变化率成正比
    D．感应电动势与闭合电路所围面积成正比

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