一正方形闭合导线框abcd.边长L=0.1 m.各边电阻均为1 Ω.bc边位于x轴上.在x轴原点O右方有宽L=0.1 m.磁感应强度为1 T.方向垂直纸面向里的匀强磁场区域.如图所示.当线框以恒定速度4 m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中.下面各图可正确表示线框从进入到穿出磁场过程中.ab边两端电势差Uab随位置变化情况的是题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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一正方形闭合导线框abcd，边长L=0.1 m，各边电阻均为1 Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L=0.1 m、磁感应强度为1 T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4 m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，下面各图可正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab随位置变化情况的是（）

解析:

由题知ab边进入磁场做切割磁感线运动时，据闭合电路知识，U_ab=BLv=0.3 V，且a点电势高于b点电势，同理ab边出磁场后cd边进入磁场做切割磁感线运动，U_ab=BLv=0.1 V，a点电势高于b点电势，故B正确，A、C、D错误。

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一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m，各边电阻为1Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab随位置变化情况的是（　　）

A．

B．

C．

D．

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一正方形闭合导线框abcd边长l=0.1m，各边电阻均为lΩ，bc边位于x轴上，在x轴原点O 右方有宽L=0.1m的磁感应强度为l T、方向垂直于纸面向里的匀强磁场区域，如图所示．在线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域的过程中，下列各图中，能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab和回路中电流I（设顺时针方向为正方向）随导线框ab边位置变化情况的是（　　）

A．

B．

C．

D．

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科目：高中物理 来源： 题型：

一正方形闭合导线框abcd，边长为L=0.1m，线框总电阻为0.1Ω，bc边位于x轴上且b点与坐标原点O重合．在x轴原点O的右侧有宽度为0.2m、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，磁场的磁感应强度为1.0T，如图所示．当线框以4.0m/s的速度沿x轴正方向匀速运动穿过磁场区域时，选项中的图表示的是线框从进入磁场到穿出磁场的过程中，线框电流I（规定顺时针方向为电流的正方向）、线框所受安培力F（规定水平向左为力的正方向）随ab边位置变化的情况，其中正确的是（　　）