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    一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
    （1）此元件的CC′两个侧面中，哪个面电势高？
    （2）试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC′两个侧面的电势差与其中的电流成正比
    （3）磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C，间的电压U CC′，就可测得B．若已知其霍尔系数k=
    1
    ned
    =10mV/mA?T    ．并测得UCC′=0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．
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    （1）电流沿x轴正方向，知电子流动的方向沿x轴负方向，根据左手定则，知电子向C侧面偏转，所以C侧面得到电子带负电，C′侧面失去电子带正电．故C'面电势较高．
    （2）当电子受力平衡时有：e
    U
    d
    =evB    ．得U=vBd．电流的微观表达式I=nevS=nevbd．所以v=Inebd．U=
    I
    nebd
    ×Bd=
    B
    ned
    I    ．知两个侧面的电势差与其中的电流成正比．
    （3）UCC′=
    B
    ned
     I，则B=
    nedUCC′
    I
    =
    UCC′
    KI
    =
    0.6
    10×3
    T=0.02T
    故该元件所在处的磁感应强度B的大小为0.02T．
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    （1）此元件的CC′两个侧面中，哪个面电势高？
    （2）试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC′两个侧面的电势差与其中的电流成正比
    （3）磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C，间的电压U CC′，就可测得B．若已知其霍尔系数k=
    1ned
    =10mV/mA?T    ．并测得UCC′=0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．

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    (1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
    (2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；
    (3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B。若已知其霍尔系数，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。

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    科目：高中物理 来源：2014届江苏省沭阳县高二下学期期中调研测试物理试卷（解析版） 题型：计算题

    一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。

    (1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？

    (2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；

    (3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B。若已知其霍尔系数，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e.将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。
    (1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
    (2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比
    (3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U CC’， 就可测得B。若已知其霍尔系数。并测得U CC’=0.6mV,I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。

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    （1）此元件的CC′两个侧面中，哪个面电势高？
    （2）试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC′两个侧面的电势差与其中的电流成正比
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