如图所示.水平放置的导体框架.宽L＝0.5 m.接有电阻R＝0.3Ω.整个装置处于垂直框架平面向下的匀强磁场中.磁感应强度B＝0.4 T．一导体棒ab垂直框边跨放在框架上.并能无摩擦地在框架上滑动.已知导体棒ab的电阻为.框架的电阻均不计．当ab以v＝5.0 m/s的速度向右匀速滑动时.求:(1)ab棒中产生的感应电流的大小和方向,(2)维持导体棒ab做匀速运动� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

如图所示，水平放置的导体框架，宽L＝0.5 m，接有电阻R＝0.3Ω，整个装置处于垂直框架平面向下的匀强磁场中，磁感应强度B＝0.4 T．一导体棒ab垂直框边跨放在框架上，并能无摩擦地在框架上滑动，已知导体棒ab的电阻为

，框架的电阻均不计．当ab以v＝5.0 m/s的速度向右匀速滑动时，求：

(1)ab棒中产生的感应电流的大小和方向；
(2)维持导体棒ab做匀速运动的外力F的大小；

（1）b到a 2.0(A)（2）=0.4N

试题分析：(1)ab棒中的电流方向为b到a            （2分）
ab棒产生的感应电动势大小为E=BLV=1.0V     （2分）
ab棒中的电流大小为I="E/(R+r)" =2.0(A)       (2分)
（2）根据公式可得：F=F_安=BIL=0.4N                        (3分)
点评：本题是电磁感应与电路、力学知识的综合，安培力是联系力与电磁感应的桥梁，

练习册系列答案

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的加速度沿导轨向下匀加速运动，已知乙金属杆刚进入磁场时做匀速运动，重力加速度为g，则以下正确的是

A．每根金属杆的电阻

B．甲金属杆在磁场区域运动过程中，拉力对杆做的功在数值上等于电路中产生的焦耳热

C．乙金属杆在磁场区域运动过程中，安培力的功率是

D．乙金属杆进入磁场直至出磁场过程中回路中通过的电量为

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