17. 现有两个烟草品种.其基因型分别是aaBB.AAbb.两对基因分别位于两对同源染色体上.由于隐性纯合基因作用的结果.这两个烟草品种在光照强度大于800勒克斯时都不能生长.两个烟草品种的杂交产生的F2后代中.在光照强度大于800勒克斯时能够生长的个体.占全部子代的( ) A.9/16 B.4/16 C.6/16 D.7/16 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(2011?普陀区二模)现有两个电阻元件,其中一个是由金属材料制成的,它的电阻随温度的升高而增大,而另一个是由某种半导体材料制成的,其电阻随温度的升高而减小.现对其中一个元件R0进行测试,测得通过其中的电流与加在它两端的电压数据如下表所示:
I/A 0.30 0.60 0.80 1.20 1.70 2.70 3.10
U/V 0.50 0.71 0.82 1.00 1.20 1.50 1.60
(1)根据表中数据,判断元件R0可能是由上述
半导体
半导体
材料制成的,并简要说明理由.理由:
随着电流增大,R0的发热功率越大,温度升高,而对应的电阻值减小
随着电流增大,R0的发热功率越大,温度升高,而对应的电阻值减小

(2)把元件R0接入如图所示的电路中,闭合开关后,电流表读数为1.20A.已知电路中电源的电动势为3V,内阻不计,此时定值电阻R的电功率
2.4
2.4
W.
(3)请根据表中数据在(a)图中作出I-U图线.为了求出通过该元件R0的电流I与电压U间的具体关系式,请你适当选取坐标轴,将表中有关数据进行适当换算,在(b)图中作出线性图线,并求出I和U之间的具体关系式.
I和U之间的具体关系式为:
I=1.2U2
I=1.2U2

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(2008?东莞模拟)现有两个电阻元件,其中一个是由金属材料制成的,它的电阻随温度的升高而增大,而另一个是由某种半导体材料制成的,其电阻随温度的升高而减小.现对其中一个元件R0进行测试,测得通过其中的电流与加在它两端的电压数据如下表所示:
I/A 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.81 3.20
U/V 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60
(1)根据表中数据,判断元件R0可能是由上述
半导体
半导体
材料制成的,并简要说明理由.
理由:
随着电流增大,即元件R0的发热功率越大,对应电压与电流的比值越小,即电阻值越小
随着电流增大,即元件R0的发热功率越大,对应电压与电流的比值越小,即电阻值越小

(2)把元件R0接入如图所示的电路中,闭合开关后,电流表读数为1.80A.已知电路中电源的电动势为3V,内阻不计.此时定值电阻R的电功率
3.24
3.24
W.
(3)请根据表中数据在(a)图中作出I-U图线.为了求出通过该元件R0的电流I与电压U间的具体关系式,请你适当选取坐标轴,将表中有关数据进行适当计算,在(b)图中作出线性图线,并求出I和U之间的具体关系式.
I和U之间的具体关系式为:
I=1.25U2
I=1.25U2

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(2013?德阳模拟)如图所示,A、B、O、C为在同一竖直平面内的四点,其中A、B、O沿同一竖直线,B、C同在以O为圆心的圆周(用虚线表示)上,沿AC方向固定有一光滑绝缘细杆L,在O点固定放置一带负电的小球.现有两个质量和电荷量都相同的带正电的小球a、b,先将小球a穿在细杆上,让其从A点由静止开始沿杆下滑,后使 b从A点由静止开始沿竖直方向下落.各带电小球均可视为点电荷,则下列说法中正确的是(  )

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(2011?吉安模拟)如图甲所示,x方向足够长的两个条形区域,其y方向的宽度分别为l1=0.1m和l2=0.2m,两区域分别分布着磁感应强度为B1和B2的磁场,磁场方与xy平面垂直向里,磁感应强度B2=0.1T,B1随时间变化的图象如图乙所示.现有大量粒子从坐标原点O以恒定速度 v=2×106m/s不断沿y轴正方向射入磁场,已知带电粒子的电量q=-2×10-8C,质量m=4×10-16kg,不考虑磁场变化产生的电场及带电粒子的重力.求:
(1)在图乙中0~1s内,哪段时间从O发射的粒子能进入磁感应强度B2的磁场?
(2)带电粒子打在磁场上边界MN上的x坐标范围是多少?
(3)在MN以下整个磁场区域内,单个带电粒子运动的最长时间和最短时间分别是多少?

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精英家教网实验室有一个破损的多量程动圈式直流电流计,有1mA、10mA和100mA三档,由一个单刀三掷开关转换,其内部电路如图所示.电流计的表头已烧坏,无法知道其电特性,但三个精密分流电阻完好,测得R1=144Ω.现有两个表头A和B,外形都与原表头相同,表头A的满刻度电流为0.2mA,内阻为660Ω;表头B的满刻度电流为0.5mA,内阻为120Ω.问在保留分流电阻R1、R2和R3的情况下,应该用哪个表头修复此电流计?怎样修复?

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同步练习册答案