dc边进入磁场后.按题意线框虽然受安培力阻力作用.但依然加速下落.设dc边下落到PP'得距离为△h1.速度达到最大值.以v0表示这最大速度.这时线框中得感应电动势为 ε=Bl1v0 线框中的电流 ——青夏教育精英家教网—

dc边进入磁场后.按题意线框虽然受安培力阻力作用.但依然加速下落.设dc边下落到PP'得距离为△h1.速度达到最大值.以v0表示这最大速度.这时线框中得感应电动势为 ε=Bl1v0 线框中的电流作用于线框的安培力为 f=Bl1I= (2) 速度达到最大的条件时安培力 f=mg 由此得 v0＝(3) 在dc边向下运动距离△h1的过程中.重力做功A1=mg△h1.安培力做功A2.由动能定理得 A1+A2= 将式代入得安培力作的功 (4) 线框速度达到v0后.作匀速运动.当dc边匀速向下运动的距离为△h2=l2-△h1时.ab边到达磁场的边界PP'.整个线框进入磁场.在线框的dc边向下移动△h2的过程中.重力做功A1'.安培力做功A2'.但线框速度未变化.由动能定理 A1'+A2'=0 A2'=-A1'=-mg△h2=-mg(l2-△h1) (5) 整个线框进入磁场后.直至dc边达到磁场区的下边界QQ'.作用于整个线框的安培力为零.安培力作的功也为零.线框只在重力作用下作加速运动. 所以.整个过程中安培力作的总功 A＝A2+A2'＝-mg(l2+h)+ 一平凸透镜焦距为f.其平面上镀了银.现在其凸面一侧距它2f处.垂直于主轴放置一高为H的物.其下端在透镜的主轴上.1.用作图法画出物经镀银透镜所成的像.并标明该像是虚.是实, 【查看更多】

题目列表(包括答案和解析)

如图所示，位于竖直平面的正方形导线框abcd，边长为L=10cm，线框质量为m=0.1kg，电阻为R=0.5Ω，其下方有一匀强磁场区域，该区域上、下两边界间的距离为H=35cm，磁场的磁感应强度为B=5T，方向与线框平面垂直．让线框从距磁场上边界15cm处自由下落，已知在线框dc边进入磁场后到ab边进入磁场前，有一段时间内线框的速度保持不变（g取10 m/s²　），下列说法正确的是（　　）

A．线框在cd边进入磁场到ab边刚进入磁场的过程中，一定先做加速度逐渐减小，速度逐渐增大的直线运动

B．从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场下边界的过程中，线框速度的最大值是2 m/s

C．从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场下边界的过程中，线框克服安培力做的总功是0.05 J

D．从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场下边界（未出下边界）的过程中，线框所受安培力的最大值为1 N

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（20分）位于竖直平面内的矩形平面导线框abcd。ab长为l₁，是水平的，bc长为l₂，线框的质量为m，电阻为R.。其下方有一匀强磁场区域，该区域的上、下边界PP′和QQ′均与ab平行，两边界间的距离为H，H＞l₂，磁场的磁感应强度为B，方向与线框平面垂直，如图所示。令线框的dc边从离磁场区域上边界PP′的距离为h处自由下落，已知在线框的dc边进入磁场后，ab边到达边界PP′之前的某一时刻线框的速度已达到这一阶段的最大值。问从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场区域下边界QQ′的过程中，磁场作用于线框的安培力作的总功为多少？

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位于竖直平面内的矩形平面导线框abcd，ab长L₁=1.0m，是水平的，bd长L₂＝0.5m，线框的质量m＝0.2kg，电阻R＝2Ω，其下方有一匀强磁场区域，该区域的上、下边界PP′和QQ′均与ab平行，两边界间距为H，H＞L，磁场的磁感应强度B=1.0T，方向与线框平面垂直，令线框的dc边从离磁场上边界的距离为h＝0.7 m处自由下落，已知线框的dc边进入磁场后，ab边到达PP′之前的某一时刻线框的速度已达到这一阶段的最大值，问从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场区域下边界QQ′的过程中，磁场作用于线框的安培力做的总功是多少？