28.(10分.除第3小题外每空2分)(1)B: F: (2)① ④ (3) 29(11分.写成分子式不给分.写成结构式给分) ⑴Br ⑵ 醛基. 羧基,取代 ⑶ ⑷ ①2 CH3OH+O2 2HCHO +2H2O ② ③HCOOH+2Ag(NH3)2OH (NH4)2CO3+2Ag↓+2NH3↑+H2O (每个反应式全对各得2分.条件不写扣1分.第⑷②反应中氧化产物写成CO2.H2CO3或NH4HCO3 (HOCOONH4)均可以.只要反应式写对且配平都给分) 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(每空1分 共10分) A、B、C、D是四种短周期元素,E是过渡元素。A、B、C同周期,C、D同主族,A的原子结构示意图为:,B是同周期第一电离能最小的元素,C的最外层有三个成单电子,E的外围电子排布式为3d64s2
回答下列问题:
(1)用元素符号表示D所在周期(除稀有气体元素外)第一电离能最大的元素是__________,电负性最大的元素是__________。
(2) D的氢化物比C的氢化物的沸点_____(填"高"或"低"),原因____________。
(3)E元素在周期表的位置是             
(4)画出D的核外电子排布图_________________________________________,这样排布遵循了             原理、____________原理和____________规则。
(5)用电子式表示B的硫化物的形成过程:______________________________。

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 (每空1  10) A、B、C、D是四种短周期元素,E是过渡元素。A、B、C同周期,C、D同主族,A的原子结构示意图为:,B是同周期第一电离能最小的元素,C的最外层有三个成单电子,E的外围电子排布式为3d64s2

回答下列问题:

(1)用元素符号表示D所在周期(除稀有气体元素外)第一电离能最大的元素是__________,电负性最大的元素是__________。

(2) D的氢化物比C的氢化物的沸点_____(填"高"或"低"),原因____________。

(3)E元素在周期表的位置是             

(4) 画出D的核外电子排布图_________________________________________,这样排布遵循了              原理、____________原理和____________规则。

(5) 用电子式表示B的硫化物的形成过程:______________________________。

 

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(每空1分 共10分) A、B、C、D是四种短周期元素,E是过渡元素。A、B、C同周期,C、D同主族,A的原子结构示意图为:,B是同周期第一电离能最小的元素,C的最外层有三个成单电子,E的外围电子排布式为3d64s2
回答下列问题:
(1)用元素符号表示D所在周期(除稀有气体元素外)第一电离能最大的元素是__________,电负性最大的元素是__________。
(2) D的氢化物比C的氢化物的沸点_____(填"高"或"低"),原因____________。
(3)E元素在周期表的位置是             
(4)画出D的核外电子排布图_________________________________________,这样排布遵循了             原理、____________原理和____________规则。
(5)用电子式表示B的硫化物的形成过程:______________________________。

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A【物质结构与性质】纳米技术制成的金属燃料、非金属固体燃料、氢气等已应用到社会生活和高科技领域。

⑴A和B的单质单位质量的燃烧热大,可用作燃料。已知A和B为短周期元素,其原子的第一至第四电离能如下表所示:

电离能(kJ/mol)

I1

I2

I3

I4

A

932

1821

15390

21771

B

738

1451

7733

10540

①某同学根据上述信息,推断B的核外电子排布如右图所示,

该同学所画的电子排布图违背了                

②根据价层电子对互斥理论,预测A和氯元素形成的简单分子空间构型为     

⑵氢气作为一种清洁能源,必须解决它的储存问题,C60可用作储氢材料。

①已知金刚石中的C-C的键长为154.45pm,C60中C-C键长为145~140pm,有同学据此认为C60的熔点高于金刚石,你认为是否正确并阐述理由     

②科学家把C60和K掺杂在一起制造了一种富勒烯化合物,其晶胞如图所示,该物质在低温时是一种超导体。该物质的K原子和C60分子的个数比为     

③继C60后,科学家又合成了Si60、N60,C、Si、N原子电负性由大到小的顺序是    。Si60分子中每个硅原子只跟相邻的3个硅原子形成共价键,且每个硅原子最外层都满足8电子稳定结构,则Si60分子中π键的数目为     

B【实验化学】某化学研究性学习小组为测定果汁中Vc含量,设计并进行了以下实验。

Ⅰ 实验原理

将特定频率的紫外光通过装有溶液的比色皿,一部分被吸收,通过对比入射光强度和透射光强度之间的关系可得到溶液的吸光度(用A表示,可由仪器自动获得)。吸光度A的大小与溶液中特定成分的浓度有关,杂质不产生干扰。溶液的pH对吸光度大小有一定影响。

Ⅱ 实验过程

⑴配制系列标准溶液。分别准确称量质量为1.0mg、1.5mg、2.0mg、2.5mg的标准Vc试剂,放在烧杯中溶解,加入适量的硫酸,再将溶液完全转移到100mL容量瓶中定容。

上述步骤中所用到的玻璃仪器除烧杯、容量瓶外还有      

⑵较正分光光度计并按顺序测定标准溶液的吸光度。为了减小实验的误差,实验中使用同一个比色皿进行实验,测定下一溶液时应对比色皿进行的操作是      。测定标准溶液按浓度      (填“由大到小”或“由小到大”)的顺序进行。

⑶准确移取10.00mL待测果汁样品到100mL容量瓶中,加入适量的硫酸,再加水定容制得待测液,测定待测液的吸光度。

Ⅲ 数据记录与处理

⑷实验中记录到的标准溶液的吸光度与浓度的关系如下表所示,根据所给数据作出标准溶液的吸光度随浓度变化的曲线。

标准试剂编号

待测液

浓度mg/L

10

15

20

25

pH

6

6

6

6

6

吸光度A

1.205

1.805

2.405

3.005

2.165

⑸原果汁样品中Vc的浓度为     mg/L

⑹实验结果与数据讨论

除使用同一个比色皿外,请再提出两个能使实验测定结果更加准确的条件控制方法      

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A【物质结构与性质】纳米技术制成的金属燃料、非金属固体燃料、氢气等已应用到社会生活和高科技领域。
⑴A和B的单质单位质量的燃烧热大,可用作燃料。已知A和B为短周期元素,其原子的第一至第四电离能如下表所示:
电离能(kJ/mol)
I1
I2
I3
I4
A
932
1821
15390
21771
B
738
1451
7733
10540
①某同学根据上述信息,推断B的核外电子排布如右图所示,
该同学所画的电子排布图违背了                
②根据价层电子对互斥理论,预测A和氯元素形成的简单分子空间构型为    
⑵氢气作为一种清洁能源,必须解决它的储存问题,C60可用作储氢材料。
①已知金刚石中的C-C的键长为154.45pm,C60中C-C键长为145~140pm,有同学据此认为C60的熔点高于金刚石,你认为是否正确并阐述理由    
②科学家把C60和K掺杂在一起制造了一种富勒烯化合物,其晶胞如图所示,该物质在低温时是一种超导体。该物质的K原子和C60分子的个数比为    
③继C60后,科学家又合成了Si60、N60,C、Si、N原子电负性由大到小的顺序是   。Si60分子中每个硅原子只跟相邻的3个硅原子形成共价键,且每个硅原子最外层都满足8电子稳定结构,则Si60分子中π键的数目为    
B【实验化学】某化学研究性学习小组为测定果汁中Vc含量,设计并进行了以下实验。
Ⅰ 实验原理
将特定频率的紫外光通过装有溶液的比色皿,一部分被吸收,通过对比入射光强度和透射光强度之间的关系可得到溶液的吸光度(用A表示,可由仪器自动获得)。吸光度A的大小与溶液中特定成分的浓度有关,杂质不产生干扰。溶液的pH对吸光度大小有一定影响。
Ⅱ 实验过程
⑴配制系列标准溶液。分别准确称量质量为1.0mg、1.5mg、2.0mg、2.5mg的标准Vc试剂,放在烧杯中溶解,加入适量的硫酸,再将溶液完全转移到100mL容量瓶中定容。
上述步骤中所用到的玻璃仪器除烧杯、容量瓶外还有     
⑵较正分光光度计并按顺序测定标准溶液的吸光度。为了减小实验的误差,实验中使用同一个比色皿进行实验,测定下一溶液时应对比色皿进行的操作是     。测定标准溶液按浓度     (填“由大到小”或“由小到大”)的顺序进行。
⑶准确移取10.00mL待测果汁样品到100mL容量瓶中,加入适量的硫酸,再加水定容制得待测液,测定待测液的吸光度。
Ⅲ 数据记录与处理
⑷实验中记录到的标准溶液的吸光度与浓度的关系如下表所示,根据所给数据作出标准溶液的吸光度随浓度变化的曲线。
标准试剂编号




待测液
浓度mg/L
10
15
20
25

pH
6
6
6
6
6
吸光度A
1.205
1.805
2.405
3.005
2.165
⑸原果汁样品中Vc的浓度为    mg/L
⑹实验结果与数据讨论
除使用同一个比色皿外,请再提出两个能使实验测定结果更加准确的条件控制方法     

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