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    目前.在半导体器件生产中展开了一场“铜芯片 的革命.用铜代替铝在硅芯片上布线.需将粗铜电解精炼成纯铜.电解时( ) A．纯铜接在电源正极上 B．阴极上可得Ag.Au等 C．电路中转移2mol e-时.阳极被氧化的铜为1mol D．阴极上析出0.32g金属时.电路中通过0.01mol e- 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    在生活、生产中，目前用量最大，用途最广的合金是（　　）
    A、钛合金B、青铜C、钢D、硬铝

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    （2009?泰州模拟）高纯超净特种气体主要用于制造半导体器件、化合物半导体、激光器、光导纤维、太阳能电池等．超纯硅化氢制备方法如下：（已知：常温下SiH4难溶于水，与稀硫酸不反应，乙醚沸点34.6℃）
    ①由下列两种方法制得SiH4
    方法一：Mg2Si+4NH4Cl
    液氨
    SiH4+2MgCl2+4NH3
    方法二：LiAlH4+SiCl4
    C2H5OC2H5
    SiH4+AlCl3+LiCl
    ②除去SiH4中混有的杂质气体
    请回答下列问题：
    （1）对方法一的理解，有同学认为是NH4+水解产生H+，Mg2Si与H+反应生成SiH4，你认为该观点是否正确？并简述理由
    不正确，因为该反应在液氨中进行，非水体系，不会水解
    不正确，因为该反应在液氨中进行，非水体系，不会水解
    ．
    （2）将方法二的固体产物溶于水，只有一种物质能促进水的电离，则NaOH、Mg（OH）2、LiOH碱性由强到弱的顺序为
    NaOH＞LiOH＞Mg（OH）2
    NaOH＞LiOH＞Mg（OH）2
    ．
    （3）两种方法制得的SiH4中均含有少量杂质，有同学提出用下列方法除去SiH4中的杂质，其中肯定不可行是
    b
    b
    ．
    a．用稀硫酸洗气     b．高温使杂质分解      c．低温分馏
    （4）甲、乙、丙三同学在讨论SiH4制备方法的化学反应类型时发表如下观点，你认为正确的是
    bc
    bc
    ．
    a．甲同学认为两个反应均为氧化还原反应
    b．乙同学认为两个反应中只有一个属于氧化还原反应
    c．丙同学认为要判断是否属于氧化还原反应，还需要知道SiH4中各元素具体的化合价．

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    为了比较温室效应气体对目前全球增温现象的影响，　科学家通常引用“温室效应指数”，以二氧化碳为相对标准。表1有(A)至(I)共九种气体在大气中的体积百分比及其温室效应指数。结合表中列出的九种气体，

    试  参与回答下列各题：

    （1）下列由极性键形成的极性分

     子是               。

        A．N2      B．O2

           C．H2O    D．CO2

    E．CH4

     

    （2）下列说法不正确的是     。

        A．N2O与CO2, CCl3F与CCl2F2互为等电子体

        B．CCl2F2无同分异构体，说明其中碳原子采用sp3方式杂化

        C．CH4是目前引起温室效应的主要原因

        D．H2O沸点是九种物质中最高的，是因为水分子间能形成氢键

    （3）在半导体生产或灭火剂的使用中，会向空气逸散气体如：NF3、CHClFCF3、C3F8，它们虽是微量的，有些确是强温室气体，下列推测不正确的是        。

        A．由价层电子对互斥理论可确定NF3分子呈三角锥形 

        B． C3F8在CCl4中的溶解度比水中大

        C．CHClFCF3存在手性异构                  

        D．第一电离能：N＜O＜F

    （4）甲烷晶体的晶胞结构如右图，下列有关说法正确的    。

      A．甲烷在常温下呈气态,说明甲烷晶体属于分子晶体

        B．晶体中1个CH4分子有12个紧邻的甲烷分子

        C． CH4晶体熔化时需克服共价键

        D．可燃冰（8CH4·46H2O）是在低温高压下形成的晶体

    （5）水能与多种过渡金属离子形成络合物，已知某红紫色络合物的组成为CoCl3·5NH3·H2O。其水溶液显弱酸性，加入强碱并加热至沸腾有氨放出，同时产生Co2O3沉淀；加AgNO3于该化合物溶液中，有AgCl沉淀生成，过滤后再加AgNO3溶液于滤液中无变化，但加热至沸腾有AgCl沉淀生成， 且其质量为第一次沉淀量的二分之一。则该配合物的化学式最可能为                    。                                              

    A．[ CoCl2(NH3)4 ]Cl·NH3·H2O B．[ Co(NH3)5(H2O)]Cl3

    C．[ CoCl2(NH3)3(H2O)]Cl·2NH3    D．[ CoCl(NH3)5]Cl2·H2O。 

    （6）题（5）中钴离子在基态时核外电子排布式为：                            。

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    （12分）

    为了比较温室效应气体对目前全球增温现象的影响，科学家通常引用“温室效应指数”，以二氧化碳为相对标准。表1有(A)至(I)共九种气体在大气中的体积百分比及其温室效应指数。

    结合表中列出的九种气体，试参与回答下列各题：

    （1）下列由极性键形成的非极性分子是       。

    A．N2       B．O2        C．H2O        D．CO2             E．CH4

    （2）下列说法正确的是            。

    A．N2O与CO2, CCl3F与CCl2F2互为等电子体

    B．CCl2F2无同分异构体，说明其中碳原子采用sp2方式杂化

    C．CCl2F2是目前引起温室效应的主要原因

    D．H2O沸点是九种物质中最高的，是因为水分子间能形成氢键

    （3）在半导体生产或灭火剂的使用中，会向空气逸散气体如：NF3、CHClFCF3、C3F8，它们虽是微量的，有些确是强温室气体，下列推测正确的是    。

    A．由价层电子对互斥理论可确定NF3分子呈平面三角形

    B．C3F8在CCl4中的溶解度比水中大

    C．CHClFCF3存在手性异构

    D．电负性：N＜O＜F

    （4）甲烷晶体的晶胞结构如图，下列有关说法正确的  。

    A．甲烷在常温下呈气态,说明甲烷晶体属于分子晶体

    B．晶体中1个CH4分子有6个紧邻的甲烷分子

    C．CH4晶体熔化时需克服共价键

    D．可燃冰（8CH4·46H2O）是在低温高压下形成的晶体[来源:学*科*网]

    （5）水能与多种过渡金属离子形成络合物，已知某紫红色络合物的组成为CoCl3·5NH3·H2O。其水溶液显弱酸性，加入强碱并加热至沸腾有氨放出，同时产生Co2O3沉淀；加AgNO3于该化合物溶液中，有AgCl沉淀生成，过滤后再加AgNO3溶液于滤液中无变化，但加热至沸腾有AgCl沉淀生成，且其质量为第一次沉淀量的二分之一。则该配合物的化学式最可能为                    。                                              

    A．[ CoCl2(NH3)4 ]Cl·NH3·H2O            B．[ CoCl(NH3)5]Cl2·H2O

    C．[ CoCl2(NH3)3(H2O)]Cl·2NH3            D．[ Co(NH3)5(H2O)]Cl3

    （6）题（5）中钴离子在基态时核外电子排布式为：                            。

     

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    在生活、生产中，目前用量最大，用途最广的合金是(　　)

    A．钛合金  B．铜     C．钢      D．硬铝

     

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