11.比荷为e/m的电子以速度v0沿AB边射入边长为a的等边三角形的匀强磁场区域中.如图所示.为使电子从AC边穿出磁场.磁感应强度B的取值范围应当 查看更多

 

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比荷为e/m的电子以速度v0沿AB边射入边长为a的等边三角形的匀强磁场区域中,如图所示,为使电子从AC边穿出磁场,磁感应强度B的取值范围应当(  )

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比荷为e/m 的电子以速度v0沿AB边射入边长为口的等边三角形的匀强磁场区域中(如图).为使电子从BC边穿出磁场,磁感应强度B的取值范围为      

A.       B.     C.       D.

 

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比荷为e/m的电子以速度v0沿AB边射入边长为a的等边三角形的匀强磁场区域中,如图所示,为使电子从AC边穿出磁场,磁感应强度B的取值范围应当(  )
A.≥
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mv0
ea
B.≥
2mv0
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C.≤
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比荷为e/m的电子以速度v0沿AB边射入边长为a的等边三角形的匀强磁场区域中(如图)。为使电子从BC边穿出磁场,磁感应强度B的取值范围为
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A.
B.
C.  
D.

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比荷为e/m 的电子以速度v0沿AB边射入边长为口的等边三角形的匀强磁场区域中(如图).为使电子从BC边穿出磁场,磁感应强度B的取值范围为      

A.       B.     C.       D.

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